ЭЭлектроПоиск/Готовые устройства/Источники питания/Драйвер затвора полумоста для нитрид-галлиевых транзисторов 100 В
Готовое устройство · источник onsemi

Драйвер затвора полумоста для нитрид-галлиевых транзисторов 100 В

Открытый проект со схемой, платой и документацией.

Драйвер затвора полумоста для нитрид-галлиевых транзисторов 100 В

Карточка проекта

Автор
onsemi
Лицензия
onsemi reference design
Источник
https://www.onsemi.com/design/evaluation-board/NCP51810GAN1GEVB
Лицензия: onsemi reference design · атрибуция автора

Описание

Плата предназначена для оценки драйвера затвора полумоста onsemi NCP51810 для управления нитрид-галлиевыми (eGaN) транзисторами на напряжение до 100 В.

Драйвер обеспечивает точные уровни напряжения затвора и малые задержки, необходимые для быстрого переключения нитрид-галлиевых приборов с высокой частотой. Плата даёт удобный доступ к выводам и контрольные точки.

Применяется в компактных высокочастотных преобразователях на нитриде галлия.

Особенности

  • Драйвер затвора полумоста NCP51810.
  • Для нитрид-галлиевых (eGaN) транзисторов до 100 В.
  • Точные уровни затвора, малые задержки.
  • Высокая частота переключения.
  • Для компактных преобразователей на нитриде галлия.

Файлы проекта · состав документации

Руководство пользователяPDF
Электрическая схемаPDF
Перечень элементов (BOM)PDF
Заметили ошибку?