ЭЭлектроПоиск/Готовые устройства/Измерения и сбор данных/Двухимпульсный полумост на карбид-кремниевом транзисторе 1200 В (TO-263-7)
Готовое устройство · источник Nexperia
Двухимпульсный полумост на карбид-кремниевом транзисторе 1200 В (TO-263-7)
Открытый проект со схемой, платой и документацией.
Карточка проекта
- Автор
- Nexperia
- Лицензия
- Nexperia reference design
Источник
https://www.nexperia.com/applications/evaluation-boards/NEVB-HB-NSFD7-A---1200-V-SiC-MOSFET--TO-263-7--double-pulse-half-bridge-evaluation-board
Лицензия: Nexperia reference design · атрибуция автора
Описание
Плата обеспечивает двухимпульсное тестирование (double-pulse test) карбид-кремниевых (SiC) MOSFET в корпусе с нижним охлаждением TO-263-7 — методики измерения динамических потерь и характеристик переключения.
Плата спроектирована с учётом минимальной паразитной индуктивности и оснащена высокоскоростным токовым шунтом для оптимально точной оценки переключения. Пригодна также для теплового анализа и непрерывной работы мощностью в несколько киловатт.
Инструмент характеризации SiC-транзисторов для разработчиков силовой электроники.
Особенности
- Двухимпульсный полумост на SiC MOSFET 1200 В (TO-263-7).
- Корпус с нижним охлаждением.
- Минимальная индуктивность, высокоскоростной токовый шунт.
- Тепловой анализ, работа в несколько киловатт.
- Инструмент характеризации SiC-приборов.