Источник питания 3 кВт для ИИ-серверов на карбид-кремниевых MOSFET

Открытый проект со схемой, платой и документацией.

Карточка проекта

Автор: Toshiba
Лицензия: Toshiba reference design

Источник

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/design-development/referencedesign/detail.RD265.html

Лицензия: Toshiba reference design · атрибуция автора

Описание

Референс-дизайн реализует источник питания на 3 кВт для серверов искусственного интеллекта (ИИ) с высокой плотностью мощности.

В решении применены новейшие высокоэффективные карбид-кремниевые (SiC) MOSFET Toshiba в поверхностном монтаже. Источник выполнен на основной плате, плате корректора мощности и плате фазосдвигового преобразователя.

Прилагаются руководство, электрические схемы и перечни элементов (BOM).

Особенности

Источник питания 3 кВт для ИИ-серверов.
SMD карбид-кремниевые MOSFET Toshiba.
Высокая плотность мощности.
Основная плата + ККМ + фазосдвиговый каскад.
Файлы: руководство, схема, BOM.

Файлы проекта · состав документации

Руководство по проектированиюHTML

Электрическая схемаHTML

Перечень элементов (BOM)HTML