Источник питания 3 кВт для серверов и телекома на SMD карбид-кремниевых MOSFET

Открытый проект со схемой, платой и документацией.

Карточка проекта

Автор: Toshiba
Лицензия: Toshiba reference design

Источник

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/design-development/referencedesign/detail.RD244.html

Лицензия: Toshiba reference design · атрибуция автора

Описание

Референс-дизайн реализует источник питания на 3 кВт для серверов и телеком-оборудования: вход 180–264 В переменного тока, выход до 50 В постоянного тока.

Применение новейших карбид-кремниевых (SiC) приборов Toshiba в поверхностном монтаже обеспечивает высокую плотность мощности; источник вынесен на отдельную дочернюю плату. Подходит и для 48-вольтовых телеком-применений.

Прилагаются руководство, электрические схемы и перечни элементов (BOM).

Особенности

Источник питания 3 кВт для серверов и телекома.
Вход 180–264 В AC, выход до 50 В DC.
SMD карбид-кремниевые MOSFET Toshiba.
Высокая плотность мощности.
Файлы: руководство, схема, BOM.

Файлы проекта · состав документации

Руководство по проектированиюHTML

Электрическая схемаHTML

Перечень элементов (BOM)HTML