Изолированный драйвер затвора для силового модуля на карбиде кремния

Открытый проект со схемой, платой и документацией.

Карточка проекта

Автор: Toshiba
Лицензия: Toshiba reference design

Источник

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/design-development/referencedesign/detail.RD237.html

Лицензия: Toshiba reference design · атрибуция автора

Описание

Референс-дизайн реализует изолированный драйвер затвора для мощных высоковольтных силовых модулей на карбид-кремниевых (SiC) MOSFET для промышленных приводов и тяговых инверторов железнодорожного транспорта.

В основе — фотоэлектронный пред-драйвер Toshiba TLP5231 с внешними буферными MOSFET, обеспечивающими большой ток затвора при полной гальванической изоляции. Компактная плата 62 × 100 мм формирует напряжения затвора +20 В / −20 В из 5-В логики при питании 24 В и содержит функции защиты.

Прилагаются руководство, электрическая схема и перечень элементов (BOM).

Особенности

Изолированный драйвер затвора для SiC-модулей.
Пред-драйвер Toshiba TLP5231 + буферные MOSFET.
Напряжения затвора +20 В / −20 В, питание 24 В.
Компактная плата, функции защиты.
Файлы: руководство, схема, BOM.

Файлы проекта · состав документации

Руководство по проектированиюHTML

Электрическая схемаHTML

Перечень элементов (BOM)HTML