ЭЭлектроПоиск/Готовые устройства/Источники питания/Оценочная плата GaN-полумоста на SGT070R70HTO (700 В, 53 мОм, 26 А)
Готовое устройство · источник STMicroelectronics
Оценочная плата GaN-полумоста на SGT070R70HTO (700 В, 53 мОм, 26 А)
Открытый проект со схемой, платой и документацией.
Карточка проекта
- Автор
- STMicroelectronics
- Лицензия
- STMicroelectronics reference design
Источник
https://www.st.com/en/evaluation-tools/steval-g0707tocb.html
Лицензия: STMicroelectronics reference design · атрибуция автора
Описание
STEVAL-G0707TOCB предназначена для оценки электрических и тепловых характеристик нитрид-галлиевого транзистора SGT070R70HTO (700 В, E-mode) с изолированным драйвером затворов STGAP2GS.
Полумостовая конфигурация позволяет эмулировать топологии понижающего, повышающего преобразователя, корректора коэффициента мощности и инвертора при использовании внешнего контроллера и фильтрации. Плата оптимизирована для снижения выбросов и провалов напряжения при быстрых временах переключения.
Поскольку нитрид-галлиевые транзисторы установлены на верхней стороне платы FR4, удобно оценивать разные теплопроводящие материалы (TIM), давая транзистору отдавать максимальную мощность.
Особенности
- Полумостовая топология с пиковым напряжением 630 В.
- Нитрид-галлиевый транзистор E-mode SGT070R70HTO (700 В, тип. 53 мОм, 26 А).
- Апертура паяльной маски снизу для эффективного теплоотвода (8 °C/Вт переход–радиатор).
- Изолированный драйвер STGAP2GS, напряжение питания затвора −3,0 / +6,2 В.
- Оценка разных теплопроводящих материалов (TIM) для максимальной мощности.