ЭЭлектроПоиск/Готовые устройства/Источники питания/Оценочная плата GaN-полумоста на SGT080R70ILB (700 В, 60 мОм, 29 А)
Готовое устройство · источник STMicroelectronics
Оценочная плата GaN-полумоста на SGT080R70ILB (700 В, 60 мОм, 29 А)
Открытый проект со схемой, платой и документацией.
Карточка проекта
- Автор
- STMicroelectronics
- Лицензия
- STMicroelectronics reference design
Источник
https://www.st.com/en/evaluation-tools/steval-g0807lbcb.html
Лицензия: STMicroelectronics reference design · атрибуция автора
Описание
STEVAL-G0807LBCB предназначена для оценки электрических и тепловых характеристик нитрид-галлиевого транзистора SGT080R70ILB (700 В, E-mode) с изолированным драйвером затворов STGAP2GSN.
Полумостовая конфигурация позволяет эмулировать топологии понижающего, повышающего преобразователя, корректора коэффициента мощности и инвертора при использовании внешнего контроллера и фильтрации. Плата оптимизирована для снижения выбросов и провалов напряжения при быстрых временах переключения.
Нитрид-галлиевые транзисторы установлены на верхней стороне платы FR4, что удобно для оценки разных теплопроводящих материалов (TIM) и получения максимальной мощности.
Особенности
- Полумостовая топология для эмуляции buck, boost, PFC и инвертора.
- Нитрид-галлиевый транзистор E-mode SGT080R70ILB (700 В, тип. 60 мОм, 29 А).
- Изолированный драйвер затворов STGAP2GSN.
- Оптимизация выбросов и провалов напряжения, быстрые времена переключения.
- Верхнее размещение транзисторов для оценки теплопроводящих материалов (TIM).