ЭЭлектроПоиск/Готовые устройства/Отладочные и макетные платы/Оценочная плата SiC-MOSFET 1200 В (D2PAK) с бессердечниковым изолированным драйвером — вариант BP
Готовое устройство · источник Infineon
Оценочная плата SiC-MOSFET 1200 В (D2PAK) с бессердечниковым изолированным драйвером — вариант BP
Открытый проект со схемой, платой и документацией.
Карточка проекта
- Автор
- Infineon Technologies
- Лицензия
- Infineon reference design
Источник
https://www.infineon.com/evaluation-board/REF-SIC-D2PAK-BP
Лицензия: Infineon reference design · атрибуция автора
Описание
REF-SiC-D2Pak-BP — эталонная плата для оценки карбид-кремниевого (CoolSiC™) MOSFET на 1200 В в корпусе D2PAK с бессердечниковым (coreless) изолированным драйвером затворов. Руководство описывает порядок работы с платой.
Плата демонстрирует применение SiC-MOSFET в корпусе D2PAK совместно с бессердечниковой изолированной драйверной технологией Infineon, обеспечивающей компактную и надёжную гальваническую изоляцию цепи управления затвором. Вариант BP отличается конфигурацией драйверной части.
Документ (руководство пользователя UG2020-22) адресован владельцам и пользователям эталонных плат. Прилагается полное руководство.
Особенности
- Оценочная плата SiC-MOSFET CoolSiC™ 1200 В в корпусе D2PAK.
- Бессердечниковый (coreless) изолированный драйвер затворов.
- Компактная и надёжная гальваническая изоляция управления затвором.
- Вариант конфигурации BP.
- Демонстрация применения SiC в корпусе D2PAK.
Файлы проекта · состав документации
Руководство (User Guide / Application Note, PDF)HTML