ЭЭлектроПоиск/Готовые устройства/Отладочные и макетные платы/Оценочная плата SiC-MOSFET 1200 В (D2PAK) с бессердечниковым изолированным драйвером — вариант MC
Готовое устройство · источник Infineon

Оценочная плата SiC-MOSFET 1200 В (D2PAK) с бессердечниковым изолированным драйвером — вариант MC

Открытый проект со схемой, платой и документацией.

Оценочная плата SiC-MOSFET 1200 В (D2PAK) с бессердечниковым изолированным драйвером — вариант MC

Карточка проекта

Автор
Infineon Technologies
Лицензия
Infineon reference design
Источник
https://www.infineon.com/evaluation-board/REF-SIC-D2PAK-MC
Лицензия: Infineon reference design · атрибуция автора

Описание

REF-SiC-D2Pak-MC — эталонная плата для оценки карбид-кремниевого (CoolSiC™) MOSFET на 1200 В в корпусе D2PAK с бессердечниковым (coreless) изолированным драйвером затворов. Руководство описывает порядок работы с платой.

Плата демонстрирует применение SiC-MOSFET в корпусе D2PAK совместно с бессердечниковой изолированной драйверной технологией Infineon, обеспечивающей компактную и надёжную гальваническую изоляцию цепи управления затвором. Вариант MC отличается конфигурацией драйверной части.

Документ (руководство пользователя UG2020-22) адресован владельцам и пользователям эталонных плат. Прилагается полное руководство.

Особенности

  • Оценочная плата SiC-MOSFET CoolSiC™ 1200 В в корпусе D2PAK.
  • Бессердечниковый (coreless) изолированный драйвер затворов.
  • Компактная и надёжная гальваническая изоляция управления затвором.
  • Вариант конфигурации MC.
  • Демонстрация применения SiC в корпусе D2PAK.

Файлы проекта · состав документации

Руководство (User Guide / Application Note, PDF)HTML
Заметили ошибку?