Плата двухимпульсного тестирования нитрид-галлиевого транзистора 650 В (верхнее охлаждение)

Открытый проект со схемой, платой и документацией.

Карточка проекта

Автор: Nexperia
Лицензия: Nexperia reference design

Источник

https://www.nexperia.com/applications/evaluation-boards/NEVB-DP-GAN039-650NTB---650-V-GaN-FET--top-side-cooled--double-pulse-evaluation-board

Лицензия: Nexperia reference design · атрибуция автора

Описание

Плата предназначена для двухимпульсного тестирования (double-pulse test) нитрид-галлиевых транзисторов в корпусе с верхним охлаждением на медной клипсе (CCPAK) — методики измерения динамических потерь, времён переключения и выбросов напряжения и тока.

Топология оптимизирована под минимальную паразитную индуктивность и оснащена высокоскоростным токовым шунтом для максимально точной оценки характеристик переключения. Плата также пригодна для теплового анализа и непрерывной работы мощностью 5 кВт и выше.

Это инструмент характеризации для разработчиков силовой электроники на нитриде галлия.

Особенности

Двухимпульсное тестирование нитрид-галлиевого транзистора 650 В.
Корпус с верхним охлаждением на медной клипсе (CCPAK).
Минимальная индуктивность, высокоскоростной токовый шунт.
Тепловой анализ, работа 5 кВт и выше.
Инструмент характеризации силовых приборов.

Файлы проекта · состав документации

Руководство пользователяHTML