Платформа для снятия потерь переключения SiC-MOSFET 1200 В (TO-247) с драйвером EiceDRIVER™ 1EDC60H12AHD

Описание

REF-1EDC60H12AHDPV2 — оценочная платформа двойного импульса (double-pulse) для снятия потерь переключения карбид-кремниевых (CoolSiC™) MOSFET на 1200 В в корпусах TO-247 (3- и 4-выводных). Платформа укомплектована драйверной платой (daughter card) с изолированным драйвером затворов EiceDRIVER™ 1EDC60H12AHD.

Метод двойного импульса позволяет точно измерить энергию потерь при включении и выключении дискретных силовых приборов поверхностного и сквозного монтажа, что необходимо для оценки применимости SiC-MOSFET в конкретных силовых преобразователях.

Документ (руководство пользователя UG-2021-32) адресован владельцам и пользователям оценочной платы; работать с ней должны только обученные специалисты. Прилагается полное руководство.

Особенности

• Платформа двойного импульса для снятия потерь переключения.
• Приборы: SiC-MOSFET CoolSiC™ 1200 В в корпусах TO-247 (3/4 вывода).
• Драйверная плата с EiceDRIVER™ 1EDC60H12AHD.
• Измерение энергии включения и выключения дискретных приборов.
• Для приборов поверхностного и сквозного монтажа.