ЭЭлектроПоиск/Готовые устройства/Источники питания/Полумост на нитриде галлия, 400 В / 2 кВт
Готовое устройство · источник Nexperia

Полумост на нитриде галлия, 400 В / 2 кВт

Открытый проект со схемой, платой и документацией.

Полумост на нитриде галлия, 400 В / 2 кВт

Карточка проекта

Автор
Nexperia
Лицензия
Nexperia reference design
Источник
https://www.nexperia.com/applications/evaluation-boards/NEVB-HB-GAN111-650WSB---400-V-2-kW-GaN-FET-half-bridge-evaluation-board
Лицензия: Nexperia reference design · атрибуция автора

Описание

Плата представляет полумостовую силовую ячейку на каскодном нитрид-галлиевом транзисторе Nexperia GAN111-650WSB (650 В) и позволяет собрать простой понижающий или повышающий преобразователь для изучения характеристик переключения и КПД.

Схема настраивается на синхронное выпрямление в понижающем или повышающем режиме; перемычки позволяют использовать один логический вход или раздельные входы верхнего и нижнего ключей. Вход и выход работают до 400 В постоянного тока при выходной мощности более 2 кВт.

Ячейка — базовый строительный блок для источников питания, инверторов, зарядных устройств и систем накопления энергии.

Особенности

  • Полумост на каскодном нитрид-галлиевом транзисторе GAN111-650WSB (650 В).
  • Вход/выход до 400 В, мощность более 2 кВт.
  • Понижающий/повышающий режим, синхронное выпрямление.
  • Общий или раздельный логический вход.
  • Базовый блок для источников питания и инверторов.

Файлы проекта · состав документации

Руководство пользователяHTML
Заметили ошибку?