ЭЭлектроПоиск/Готовые устройства/Источники питания/Полумост на нитриде галлия, 400 В / 3,5 кВт, 100 кГц
Готовое устройство · источник Nexperia

Полумост на нитриде галлия, 400 В / 3,5 кВт, 100 кГц

Открытый проект со схемой, платой и документацией.

Полумост на нитриде галлия, 400 В / 3,5 кВт, 100 кГц

Карточка проекта

Автор
Nexperia
Лицензия
Nexperia reference design
Источник
https://www.nexperia.com/applications/evaluation-boards/NEVB-HB-GAN041-650WSB---400-V-3-5-kW-100-kHz-GaN-FET-half-bridge-evaluation-board
Лицензия: Nexperia reference design · атрибуция автора

Описание

Плата представляет полумостовую силовую ячейку на нитрид-галлиевом транзисторе Nexperia GAN041-650WSB (650 В, 35 мОм) и позволяет собрать простой понижающий или повышающий преобразователь для изучения характеристик переключения и КПД.

Схема настраивается на синхронное выпрямление в понижающем или повышающем режиме; перемычки позволяют использовать один логический вход или раздельные входы верхнего и нижнего ключей. Вход и выход работают до 400 В постоянного тока при выходной мощности до 3,5 кВт. Штатный дроссель рассчитан на эффективную работу на частоте 100 кГц, но допустимы и другие дроссели и частоты.

Ячейка — базовый строительный блок для источников питания и инверторов высокой плотности мощности.

Особенности

  • Полумост на нитрид-галлиевом транзисторе GAN041-650WSB (650 В, 35 мОм).
  • Вход/выход до 400 В, мощность до 3,5 кВт.
  • Штатная частота 100 кГц (допустимы другие).
  • Понижающий/повышающий режим, синхронное выпрямление.
  • Базовый блок для источников питания и инверторов.

Файлы проекта · состав документации

Руководство пользователяHTML
Заметили ошибку?