ЭЭлектроПоиск/Готовые устройства/Источники питания/Полумост на нитриде галлия, 400 В / 3,5 кВт (нижнее охлаждение)
Готовое устройство · источник Nexperia

Полумост на нитриде галлия, 400 В / 3,5 кВт (нижнее охлаждение)

Открытый проект со схемой, платой и документацией.

Полумост на нитриде галлия, 400 В / 3,5 кВт (нижнее охлаждение)

Карточка проекта

Автор
Nexperia
Лицензия
Nexperia reference design
Источник
https://www.nexperia.com/applications/evaluation-boards/NEVB-HB-GAN039-650NBB-BSCUL---400-V--3-5-kW-GaN-FET--bottom-side-cooled--half-bridge-evaluation-board
Лицензия: Nexperia reference design · атрибуция автора

Описание

Плата представляет полумостовую силовую ячейку на нитрид-галлиевом транзисторе Nexperia GAN039 (650 В) в корпусе с нижним охлаждением и позволяет собрать простой понижающий или повышающий преобразователь.

Схема настраивается на синхронное выпрямление; перемычки позволяют использовать один логический вход или раздельные входы верхнего и нижнего ключей. Вход и выход работают до 400 В постоянного тока при выходной мощности до 3,5 кВт и выше — в зависимости от охлаждения, температуры среды и частоты. Штатный дроссель рассчитан на 100 кГц.

Ячейка — базовый строительный блок для источников питания и инверторов высокой плотности мощности.

Особенности

  • Полумост на нитрид-галлиевом транзисторе GAN039 (650 В).
  • Корпус с нижним охлаждением.
  • Вход/выход до 400 В, мощность до 3,5 кВт и выше.
  • Понижающий/повышающий режим, синхронное выпрямление.
  • Базовый блок для источников питания и инверторов.

Файлы проекта · состав документации

Руководство пользователяHTML
Заметили ошибку?