ЭЭлектроПоиск/Готовые устройства/Источники питания/Полумост на нитриде галлия 60 В / 350 Вт с нижним охлаждением
Готовое устройство · источник Nexperia

Полумост на нитриде галлия 60 В / 350 Вт с нижним охлаждением

Открытый проект со схемой, платой и документацией.

Полумост на нитриде галлия 60 В / 350 Вт с нижним охлаждением

Карточка проекта

Автор
Nexperia
Лицензия
Nexperia reference design
Источник
https://www.nexperia.com/applications/evaluation-boards/NEVB-HB-GAN03R2-100CBE-BSC-60V-350-W-GaN-bottom-side-cooled-half-bridge-evaluation-board
Лицензия: Nexperia reference design · атрибуция автора

Описание

Плата представляет полумостовую силовую ячейку на нитрид-галлиевых транзисторах Nexperia (100 В, E-Mode) в корпусе с нижним охлаждением и позволяет собрать простой понижающий или повышающий преобразователь.

Схема настраивается на синхронное выпрямление в понижающем или повышающем режиме; перемычки позволяют использовать один логический вход или раздельные входы верхнего и нижнего ключей. Вход и выход работают до 60 В постоянного тока при выходной мощности более 350 Вт.

Плата служит платформой для изучения характеристик переключения и КПД нитрид-галлиевых транзисторов.

Особенности

  • Полумост на нитрид-галлиевых транзисторах 100 В (E-Mode).
  • Вход/выход до 60 В, мощность более 350 Вт.
  • Корпус с нижним охлаждением.
  • Понижающий или повышающий режим, синхронное выпрямление.
  • Оценка характеристик переключения и КПД.

Файлы проекта · состав документации

Руководство пользователяHTML
Заметили ошибку?