Полумостовая плата на карбид-кремниевых MOSFET (корпус TOLL)

Открытый проект со схемой, платой и документацией.

Карточка проекта

Автор: Toshiba
Лицензия: Toshiba reference design

Источник

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/design-development/referencedesign/detail.RD262.html

Лицензия: Toshiba reference design · атрибуция автора

Описание

Референс-дизайн — плата с двумя новейшими карбид-кремниевыми (SiC) MOSFET Toshiba в корпусе TOLL, собранными по полумостовой схеме, для удобной оценки SiC-приборов.

Полумостовая конфигурация — базовый строительный блок силовых преобразователей; плата упрощает измерение характеристик переключения SiC-транзисторов, спрос на которые растёт. Доступны варианты с разными приборами (TW027U65C, TW048U65C).

Прилагаются руководство, электрические схемы и перечни элементов (BOM).

Особенности

Полумост на SiC MOSFET Toshiba (корпус TOLL).
Удобная оценка SiC-приборов.
Варианты TW027U65C и TW048U65C.
Базовый блок силовых преобразователей.
Файлы: руководство, схема, BOM.

Файлы проекта · состав документации

Руководство по проектированиюHTML

Электрическая схемаHTML

Перечень элементов (BOM)HTML