ЭЭлектроПоиск/Готовые устройства/Радиочастотная техника (РЧ)/РЧ-тракт усиления 2,4–2,5 ГГц на GaN CLF24H4LS300P с драйвером CLP24H4S30P
Готовое устройство · источник Ampleon

РЧ-тракт усиления 2,4–2,5 ГГц на GaN CLF24H4LS300P с драйвером CLP24H4S30P

Открытый проект со схемой, платой и документацией.

РЧ-тракт усиления 2,4–2,5 ГГц на GaN CLF24H4LS300P с драйвером CLP24H4S30P

Карточка проекта

Автор
Ampleon
Лицензия
Ampleon reference design
Источник
https://www.ampleon.com/documents/application-report/AR241030
Лицензия: Ampleon reference design · атрибуция автора

Описание

Демонстрационный (demo) дизайн полного тракта усиления (line-up) для диапазона 2,4–2,5 ГГц на нитрид-галлиевых (GaN) транзисторах Ampleon: оконечный каскад на CLF24H4LS300P и предварительный (драйвер) на CLP24H4S30P.

Диапазон 2,4–2,5 ГГц относится к ISM-полосе и применяется в промышленном ВЧ-нагреве, плазменных источниках и системах беспроводной связи. Технология GaN обеспечивает высокие удельную мощность, КПД и коэффициент усиления на этих частотах.

Прилагаемый документ (application report AR241030) содержит принципиальную схему, топологию печатной платы, перечень элементов (BOM) и результаты измерений двухкаскадного тракта.

Особенности

  • Двухкаскадный тракт усиления (драйвер + оконечный), 2,4–2,5 ГГц.
  • GaN-транзисторы Ampleon: CLF24H4LS300P (оконечный), CLP24H4S30P (драйвер).
  • Диапазон ISM 2,4 ГГц: промышленный ВЧ-нагрев, плазма, связь.
  • Высокие удельная мощность, КПД и усиление за счёт GaN.
  • В документе: схема, топология платы, BOM, результаты измерений.

Файлы проекта · состав документации

Application report (схема, топология платы, BOM)HTML
Заметили ошибку?