ЭЭлектроПоиск/Готовые устройства/Радиочастотная техника (РЧ)/РЧ-усилитель мощности 2,4–2,5 ГГц на GaN-транзисторе CLP24H4S30P
Готовое устройство · источник Ampleon

РЧ-усилитель мощности 2,4–2,5 ГГц на GaN-транзисторе CLP24H4S30P

Открытый проект со схемой, платой и документацией.

РЧ-усилитель мощности 2,4–2,5 ГГц на GaN-транзисторе CLP24H4S30P

Карточка проекта

Автор
Ampleon
Лицензия
Ampleon reference design
Источник
https://www.ampleon.com/documents/application-report/AR231088
Лицензия: Ampleon reference design · атрибуция автора

Описание

Демонстрационный (demo) дизайн компактного радиочастотного усилителя мощности для диапазона 2,4–2,5 ГГц на нитрид-галлиевом (GaN) транзисторе Ampleon CLP24H4S30P.

Диапазон ISM 2,4 ГГц применяется в промышленном ВЧ-нагреве, плазменных источниках и беспроводной связи. Технология GaN даёт высокие удельную мощность и КПД при малых габаритах платы.

Прилагаемый документ (application report AR231088) содержит принципиальную схему, топологию печатной платы, перечень элементов (BOM) и результаты измерений.

Особенности

  • Компактный усилитель мощности, 2,4–2,5 ГГц (ISM).
  • GaN-транзистор Ampleon CLP24H4S30P.
  • Высокие удельная мощность и КПД при малых габаритах.
  • Применения: промышленный ВЧ-нагрев, плазма, беспроводная связь.
  • В документе: схема, топология платы, BOM, результаты измерений.

Файлы проекта · состав документации

Application report (схема, топология платы, BOM)HTML
Заметили ошибку?