Сдвоенный полумост на карбид-кремниевом транзисторе 1200 В (корпус X.PAK)

Открытый проект со схемой, платой и документацией.

Карточка проекта

Автор: Nexperia
Лицензия: Nexperia reference design

Источник

https://www.nexperia.com/applications/evaluation-boards/NEVB-NSF-XPAK-A----1200-V-SiC-MOSFET--X-PAK--dual-half-bridge-evaluation-board

Лицензия: Nexperia reference design · атрибуция автора

Описание

Плата состоит из двух полумостов на карбид-кремниевых (SiC) транзисторах Nexperia в корпусе X.PAK и предназначена для изучения динамических характеристик приборов при одиночной и параллельной работе.

Топология оптимизирована под минимальную паразитную индуктивность контура коммутации и оснащена высокоскоростным токовым шунтом, что позволяет с максимальной точностью измерять характеристики переключения, потери и поведение при параллельном соединении транзисторов.

Плата служит инструментом характеризации для разработчиков силовых преобразователей и приводов на SiC.

Особенности

Два полумоста на SiC-транзисторах 1200 В (X.PAK).
Одиночная и параллельная работа приборов.
Минимальная индуктивность, высокоскоростной токовый шунт.
Точное измерение потерь и характеристик переключения.
Инструмент характеризации силовых приборов.