Открытый проект со схемой, платой и документацией.

Плата предназначена для оценки силового карбид-кремниевого (SiC) модуля onsemi EliteSiC серии M3S на напряжение 1200 В в исполнении 4-PACK.
Карбид-кремниевые MOSFET-модули обеспечивают высокий КПД, высокое рабочее напряжение и способность работать на повышенных частотах и температурах по сравнению с кремниевыми приборами. Плата содержит цепи управления затворами и контрольные точки для измерений.
Применяется в силовых преобразователях, приводах и системах накопления энергии.