Открытый проект со схемой, платой и документацией.

Плата предназначена для оценки силовых карбид-кремниевых (SiC) полумостовых модулей onsemi EliteSiC серии M3S на напряжение 1200 В в исполнении 2-PACK (полумост) в корпусе F1 (например, NXH008P120M3F1, NXH010P120M3F1).
Карбид-кремниевые MOSFET-модули обеспечивают высокий КПД и высокое рабочее напряжение. Плата содержит цепи управления затворами и контрольные точки для измерений характеристик переключения.
Применяется в силовых преобразователях, инверторах и приводах.