Трёхуровневый карбид-кремниевый модуль 1200 В (топология TNPC)

Описание

Плата предназначена для оценки карбид-кремниевого (SiC) силового модуля onsemi EliteSiC серии M3S на 1200 В в трёхуровневой топологии TNPC (T-типа с фиксацией средней точки). Габарит основной платы — 304,4 × 150 мм.

Трёхуровневая топология снижает потери на переключение и требования к фильтрам, что повышает КПД мощных преобразователей. Плата содержит цепи управления затворами и контрольные точки.

Применяется в мощных сетевых инверторах, солнечных и промышленных преобразователях.

Особенности

• Карбид-кремниевый модуль EliteSiC M3S, 1200 В.
• Трёхуровневая топология TNPC (T-типа).
• Снижение потерь и требований к фильтрам.
• Габарит платы 304,4 × 150 мм.
• Для мощных сетевых инверторов.