📦

2N5401

Транзисторы биполярные (BJTs) · Производитель: MERRYELCКитай

150 В, 1e-07, 300, 0.3 Вт

Предложений: 1 · Всего: 50 шт

Даташит PDF

Технические параметры

Напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)150 В
Ток коллектора (Ic)1e-07
Коэф. усиления (hFE)300
Рассеиваемая мощность (Pd)0.3 Вт
Граничная частота (fT)100 МГц
Напряжение насыщения (Vce sat)0.5 В
ТипPNP
КорпусSOT-23
Маркировка2L
Тип монтажаSMD
Ток коллектора-0.6 A
КорпусSOT-23
Тип компонентаPNP Transistor
Предельные значенияVcbo: -160V; Vceo: -150V; Vebo: -5V; Ic continuous: -600mA; Pc dissipation: 300mW; Tj junction temp: 150°C; Tstg storage temp: -55 to +150°C; Rthja thermal resistance: 416°C/W
Название компонентаMMBT5401
Рассеиваемая мощность625 мВт
Классификация hFERank h range: 200-300; Rank l range: 100-200
Тепловое сопротивление200 °C/W
Темп. диапазонStorage max: +150°C; Storage min: -55°C; Operating max: +150°C; Operating min: -55°C
Класс горючестиUL 94V-0
Напряжение эмиттер-база-5 В
Диапазон темп. перехода-55~+150 °C
Частота перехода100 МГц
Напряжение коллектор-база-160 В
Complementary deviceMMBT5551
Физические размерыКол-во выводов: 3; Pin names: BASE, EMITTER, COLLECTOR; Тип упаковки: SOT-23
Напряжение коллектор-эмиттер-150 В
Электрические характеристикиVbe sat1: -1.00V; Vbe sat2: -1.00V; Vce sat1: -0.2V; Vce sat2: -0.5V; Ft transition frequency: 100MHz; Hfe1 dc current gain 1ma: 80; Vbrcbo breakdown voltage: -160V; Vbrceo breakdown voltage: -150V; Vbreob breakdown voltage: -5V; Hfe3 dc current gain 50ma

Где купить

Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков

Текущая привязка:2N5401MERRYELCТранзисторы биполярные (BJTs)

Поставщик

Сэлком

Арт.: 149236

Самовывоз и доставка

Цена

0,73 ₽

от 500 шт

Наличие

50 шт

Доставка

1 дн.

Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду

Загрузка…

Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.

Заметили ошибку?