BCP53
Транзисторы биполярные (BJTs) · Производитель: KEEN SIDEКитай
80 В, 1e-07, 250, 1.5 Вт
Предложений: 1 · Всего: 1 627 шт
Технические параметры
| Напряжение коллектор-эмиттер (Vceo) | 80 В |
| Ток коллектора (Ic) | 1e-07 |
| Коэф. усиления (hFE) | 250 |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.5 Вт |
| Граничная частота (fT) | 100 МГц |
| Напряжение насыщения (Vce sat) | 0.5 В |
| Тип | PNP |
| Рабочая температура | от -55 до 150 |
| Корпус | SOT-223 |
| Тип | PNP transistor |
| Вывод 1 | base |
| Вывод 2 | collector |
| Тип монтажа | SMD |
| Вывод 3 | emitter |
| Корпус | SOT-223 |
| Ток коллектора | -1 A |
| Ток базы | -100 mA |
| Напряжение база-эмиттер | -1 В |
| Рассеиваемая мощность | 1.5 W |
| Размеры a макс. | 1.800mm |
| Макс. коэф. усиления DC | 250 |
| Hfe мин. | 25 |
| Hfe1 | 25 (at Vce=-2V, Ic=-5mA) |
| Размеры b макс. | 0.840mm |
| Напряжение эмиттер-база | -5 В |
| Размер B мин. | 0.660mm |
| Hfe2 | 63-250 (at Vce=-2V, Ic=-150mA) |
| Диапазон темп. перехода | -55~+150 ℃ |
| Частота перехода | 100 MHz |
| Напряжение коллектор-база | -100 В |
| Коэффициент усиления DC hFE3 | 25 (at Vce=-2V, Ic=-500mA) |
| Размеры c макс. | 0.350mm |
| Размер C мин. | 0.230mm |
| Макс. размер D | 6.700mm |
| Напряжение коллектор-эмиттер | -80 В |
| Мин. размер D | 6.300mm |
| Dimensions l min | 0.750mm |
| Ток отсечки коллектора | -100 nA |
| Напряжение пробоя коллектор-база | -100 В |
| Dimensions e max | 7.300mm |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | -80 В |
| Dimensions e min | 6.700mm |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | -0.5 В |
| Dimensions b1 max | 3.100mm |
| Dimensions a1 max | 0.100mm |
| Dimensions a1 min | 0.020mm |
| Dimensions b1 min | 2.900mm |
| Термосопротивление переход-среда | 94 ℃/W |
| Dimensions a2 max | 1.700mm |
| Dimensions a2 min | 1.500mm |
| Dimensions e1 max | 3.700mm |
| Dimensions e pitch | 2.300mm |
| Dimensions e1 min | 3.300mm |
| Dimensions theta max | 10° |
| Dimensions theta min | 0° |
| Пиковый импульсный ток базы | -200 mA |
| Base emitter voltage vbe | -1V (at Vce=-2V, Ic=-500mA) |
| Граничная частота ft | 100MHz (at Vce=-10V, Ic=-50mA, f=100MHz) |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | -5V |
| Base current continuous ib | -100mA |
| Hfe classification rank 10 | 63-160 |
| Hfe classification rank 16 | 100-250 |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | -100V |
| Peak pulse base current ibm | -200mA |
| Пиковый импульсный ток коллектора | -2 A |
| Ток отсечки коллектора Icbo | -100nA |
| Junction temperature range tj | -55~+150°C |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | -80V |
| Напряжение пробоя база-эмиттер | -5 В |
| Pк | 1.5W |
| Диапазон температур хранения | -55~+150°C |
| Collector current continuous ic | -1A |
| Peak pulse collector current icm | -2A |
| Base emitter breakdown voltage bvebo | -5V |
| Collector base breakdown voltage bvcbo | -100V |
| Collector emitter breakdown voltage bvceo | -80V |
| Напряжение насыщения КЭ | -0.5V (at Ic=-500mA, Ib=-50mA) |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 94°C/W |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:BCP53KEEN SIDEТранзисторы биполярные (BJTs)
Поставщик
Сэлком
Арт.: 148570
Самовывоз и доставка
Цена
2,19 ₽
от 100 шт
Наличие
1 627 шт
Упаковка: 1000 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Загрузка…
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.