📦

BCP53

Транзисторы биполярные (BJTs) · Производитель: NXPЗапад

80 В, 1e-07, 250, 1.5 Вт

Предложений: 1 · Всего: 1 шт

Даташит PDF

Технические параметры

Напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)80 В
Ток коллектора (Ic)1e-07
Коэф. усиления (hFE)250
Рассеиваемая мощность (Pd)1.5 Вт
Граничная частота (fT)100 МГц
Напряжение насыщения (Vce sat)0.5 В
ТипPNP
Рабочая температураот 55 до 150
КорпусSOT-223
Вывод 1base
Тип монтажаSMD
Вывод 2collector
Вывод 3emitter
Напряжение база-эмиттер-1 В
Ток базы-100 mA
Размеры a макс.1.800mm
Макс. коэф. усиления DC250
Hfe мин.25
Напряжение эмиттер-база-5 В
Размеры b макс.0.840mm
Диапазон темп. перехода-55~+150 ℃
Частота перехода100 MHz
Размер B мин.0.660mm
Размеры c макс.0.350mm
Напряжение коллектор-база-100 В
Коэффициент усиления DC hFE325
Размер C мин.0.230mm
Макс. размер D6.700mm
Ток отсечки коллектора-100 nA
Мин. размер D6.300mm
Напряжение пробоя коллектор-база-100 В
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер-80 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер-0.5 В
Термосопротивление переход-среда94 ℃/W
Пиковый импульсный ток базы-200 mA
Граничная частота ft100MHz (at Vce=-10V, Ic=-50mA, f=100MHz)
Напряжение эмиттер-база Vebo-5V
Напряжение коллектор-база Vcbo-100V
Ток отсечки коллектора Icbo-100nA
Пиковый импульсный ток коллектора-2 A
Напряжение пробоя база-эмиттер-5 В
Напряжение коллектор-эмиттер Vceo-80V
Pк1.5W
Диапазон температур хранения-55~+150°C
Напряжение насыщения КЭ-0.5V (at Ic=-500mA, Ib=-50mA)
Тепловое сопротивление переход-среда94°C/W

Где купить

Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков

Текущая привязка:BCP53NXPТранзисторы биполярные (BJTs)

Поставщик

Компэл

Арт.: 674326

Склад Москва

Цена

24,53 ₽

от 1 шт

Наличие

1 шт

Доставка

1 дн.

Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду

Новости по теме

Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.

Заметили ошибку?