GD150HFU120C2S
IGBT модули · Производитель: StarpowerКитай
1200 В, 150 А, Полумост, 3.1 В
Предложений: 1 · Всего: 5 шт
Технические параметры
| Напряжение коллектор-эмиттер (Vces) | 1200 В |
| Ток коллектора (Ic) | 150 А |
| Конфигурация | Полумост |
| Напряжение насыщения (Vce sat) | 3.1 В |
| Встроенный диод | Да |
| Изоляция | 2500 В |
| Корпус модуля | ? |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:GD150HFU120C2SStarpowerIGBT модули
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 561050
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
9 047,22 ₽
от 1 шт
| от 2 шт | 8 696,77 ₽ |
| от 3 шт | 8 411,32 ₽ |
| от 4 шт | 8 199,45 ₽ |
| от 5 шт | 8 041,85 ₽ |
Наличие
5 шт
Доставка
По запросу
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
15 октября 2026 г. · Фабрики, техпроцессы и оборудование
CanSemi вышла на биржу: единственный в Китае серийный выпуск кремний-фотонных пластин на 12 дюймов
8 октября 2026 г. · Измерения и испытания
Сначала посмотри, потом режь: как находят первопричину отказов силовых приборов
6 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Гибридный контактор на тиристорах и SiC JFET для асинхронных двигателей
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.