MMBT5551
Транзисторы биполярные (BJTs) · Производитель: KEEN SIDEКитай
160 В, 5e-08, 80, 0.25 Вт
Предложений: 1 · Всего: 7 390 шт
Технические параметры
| Напряжение коллектор-эмиттер (Vceo) | 160 В |
| Ток коллектора (Ic) | 5e-08 |
| Коэф. усиления (hFE) | 80 |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 0.25 Вт |
| Граничная частота (fT) | 100 МГц |
| Напряжение насыщения (Vce sat) | 0.2 В |
| Тип | NPN |
| Рабочая температура | от -55 до 150 |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип | NPN transistor |
| Маркировка | G1 |
| Тип монтажа | SMD |
| Lead span | 1.8-2.0mm |
| Корпус | SOT-23 |
| Ток коллектора | 600 мА |
| Ширина вывода | 0.3-0.5mm |
| Рассеиваемая мощность | 300 мВт |
| Расстояние между выводами | 0.95mm |
| Complementary | MMBT5401 |
| Мин. частота перехода | 100 МГц |
| Lead thickness | 0.08-0.15mm |
| Выходная емкость | 6pF |
| Темп. хранения | -55～+150 °C |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Макс. коэф. усиления DC | 300 |
| Hfe мин. | 80 |
| Темп. перехода | 150°C |
| Напряжение эмиттер-база | 6 В |
| Частота перехода | 100-300MHz |
| Напряжение коллектор-база | 180 В |
| Ширина корпуса | 1.2-1.4mm |
| Коэффициент усиления DC тип. | 100 |
| Ток отсечки эмиттера | 50nA |
| Выходная емкость коллектора | 6 пФ |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 160 В |
| Ток отсечки коллектора | 50nA |
| Длина корпуса | 2.8-3.0mm |
| Напряжение пробоя коллектор-база | 180V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 160V |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | 6V |
| Напр. нас. база-эмиттер | 1 В |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.2 В |
| Max collector current | 600mA |
| Высота корпуса | 0.9-1.15mm |
| Термосопротивление переход-среда | 416°C/W |
| Max emitter base voltage | 6V |
| Макс. частота перехода | 300 МГц |
| Max collector base voltage | 180V |
| Dc current gain hfe min 1mA | 80 |
| Dc current gain hfe min 50mA | 50 |
| Max collector emitter voltage | 160V |
| Dc current gain hfe range 10mA | 100-300 |
| Max collector power dissipation | 300mW |
| Base emitter saturation voltage 10mA | 1V |
| Base emitter saturation voltage 50mA | 1V |
| Мин. напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.15 В |
| Collector emitter saturation voltage 10mA | 0.15V |
| Collector emitter saturation voltage 50mA | 0.2V |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:MMBT5551KEEN SIDEТранзисторы биполярные (BJTs)
Поставщик
Сэлком
Арт.: 148584
Самовывоз и доставка
Цена
0,51 ₽
от 500 шт
Наличие
7 390 шт
Упаковка: 3000 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Загрузка…
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.