MMBTA06 CTK

MMBTA06

Транзисторы биполярные (BJTs) · Производитель: CTKКитай

80 В, 0.5 А, 100, 0.3 Вт

Предложений: 1 · Всего: 38 150 шт

Даташит PDF

Технические параметры

Напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)80 В
Ток коллектора (Ic)0.5 А
Коэф. усиления (hFE)100
Рассеиваемая мощность (Pd)0.3 Вт
Граничная частота (fT)400 МГц
Напряжение насыщения (Vce sat)0.25 В
ТипNPN
КорпусSOT-23
Маркировка1GM
Тип монтажаSMD
Тип компонентаNPN Transistor
Название компонентаMMBTA06
Конфиг. выводовPin1: BASE; Pin2: EMITTER; Pin3: COLLECTOR
Напряжение эмиттер-база4 В
Частота перехода100 МГц
Диапазон темп. перехода-55~+150 °C
Напряжение коллектор-база80 В
Ток отсечки коллектора CBO0.1 мкА
Напряжение насыщения база-эмиттер1.2 В
Ток отсечки коллектора CEO1 мкА
ОсобенностиFor Switching and Amplifier Applications, Complementary Type NPN Transistor, SOT-23 Plastic-Encapsulate
Размеры корпуса ммA: 0.900-1.150; B: 0.300-0.500; C: 0.080-0.150; D: 2.800-3.000; E: 1.200-1.400; L: 0.550; A1: 0.000-0.100; A2: 0.900-1.050; E1: 2.250-2.550; L1: 0.300-0.500; Theta: 0-8; E spacing: 0.550; E1 spacing: 1.800-2.000
Напряжение пробоя коллектор-база80 В
Напряжение пробоя эмиттер-база4 В
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер80 В
Ток отсечки эмиттера EBO0.1 мкА
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.25 В
Электрические характеристикиFt: 100MHz; Icbo: 0.1µA; Iceo: 1µA; Iebo: 0.1µA; Vbe sat: 1.2V; Vbr cbo: 80V; Vbr ceo: 80V; Vbr ebo: 4V; Vce sat: 0.25V; Hfe at 10ma: 100-400; Hfe at 100ma: 100
Термосопротивление переход-среда416 °C/Вт

Где купить

Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков

Текущая привязка:MMBTA06CTKТранзисторы биполярные (BJTs)

Поставщик

РУ Электроникс

Арт.: 119390

Москва самовывоз. Платно: Деловые линии, СДЭК, ПЭК

Цена

1,37 ₽

от 1 шт

от 10 шт1,37 ₽

Наличие

38 150 шт

Доставка

2 дн.

Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду

Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.

Заметили ошибку?