SS8050 KEEN SIDE

SS8050

Транзисторы биполярные (BJTs) · Производитель: KEEN SIDEКитай

25 В, 1e-07, 400, 0.3 Вт

Предложений: 1 · Всего: 28 396 шт

Даташит PDF

Технические параметры

Напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)25 В
Ток коллектора (Ic)1e-07
Коэф. усиления (hFE)400
Рассеиваемая мощность (Pd)0.3 Вт
Граничная частота (fT)190 МГц
Напряжение насыщения (Vce sat)0.5 В
ТипNPN
Рабочая температураот 55 до 150
КорпусSOT-23
МаркировкаY1
Тип монтажаSMD
Мощность коллектора300 mW
Коэффициент усиления DC 240
Темп. хранения55~+150 ℃
Диап. темп. хр.-55°C to +150°C
Макс. коэф. усиления DC350
Темп. перехода150 ℃
Hfe мин.200
Напряжение эмиттер-база5 В
Темп. перехода Tj150°C
Частота перехода100 MHz
Напряжение коллектор-база40 В
Напряжение насыщения база-эмиттер1.2 В
Ток отсечки коллектор-база0.1 μA
Напряжение пробоя коллектор-база40 В
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер25 В
Напряжение пробоя эмиттер-база5 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.5 В
Термосопротивление переход-среда417 ℃/W
Ток отсечки коллектора ICEO0.1μA
Ток отсечки база-эмиттер0.1 μA
Ток коллектора Ic1.5A
Граничная частота ft100MHz
Ток отсечки коллектор-эмиттер0.1 μA
Напряжение эмиттер-база Vebo5V
Напряжение коллектор-база Vcbo40V
Ток отсечки эмиттера Iebo0.1μA
Ток отсечки коллектора Icbo0.1μA
Напряжение коллектор-эмиттер Vceo25V
Pк300mW
Пробивное эмиттер-база5V
Напряжение пробоя коллектор-база Vbrcbo40V
Напряж. пробоя К-Э25V
Напряжение насыщения КЭ0.5V
Тепловое сопротивление переход-среда417°C/W

Где купить

Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков

Текущая привязка:SS8050KEEN SIDEТранзисторы биполярные (BJTs)

Поставщик

Сэлком

Арт.: 148591

Самовывоз и доставка

Цена

0,55 ₽

от 500 шт

Наличие

28 396 шт

Упаковка: 3000 шт

Доставка

1-2 дн.

Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду

Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.

Заметили ошибку?