SS8050
Транзисторы биполярные (BJTs) · Производитель: KEEN SIDEКитай
25 В, 1e-07, 400, 0.3 Вт
Предложений: 1 · Всего: 29 396 шт
Технические параметры
| Напряжение коллектор-эмиттер (Vceo) | 25 В |
| Ток коллектора (Ic) | 1e-07 |
| Коэф. усиления (hFE) | 400 |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 0.3 Вт |
| Граничная частота (fT) | 190 МГц |
| Напряжение насыщения (Vce sat) | 0.5 В |
| Тип | NPN |
| Рабочая температура | от -55 до 150 |
| Корпус | SOT-23 |
| Маркировка | Y1 |
| Тип | NPN |
| Тип монтажа | SMD |
| Мощность коллектора | 300 mW |
| Корпус | SOT-23 |
| Lead angle theta | 0°-8° |
| Ток коллектора | 1.5 A |
| Коэффициент усиления DC 2 | 40 |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Макс. коэф. усиления DC | 350 |
| Темп. хранения | 55～+150 ℃ |
| Hfe мин. | 200 |
| Темп. перехода | 150 ℃ |
| Напряжение эмиттер-база | 5 В |
| Hfe1 | 200-350 |
| Темп. перехода Tj | 150°C |
| Частота перехода | 100 MHz |
| Hfe2 | 40 |
| Напряжение коллектор-база | 40 В |
| Напряжение насыщения база-эмиттер | 1.2 В |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 25 В |
| Dimensions lead pitch e | 0.950mm typ |
| Ток отсечки коллектор-база | 0.1 μA |
| Напряжение пробоя коллектор-база | 40 В |
| Dimensions lead span e1 | 1.800-2.000mm |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 25 В |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | 5 В |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 В |
| Dimensions lead width b | 0.300-0.500mm |
| Dimensions body height a | 0.900-1.150mm |
| Dimensions body length d | 2.800-3.000mm |
| Dimensions body width e1 | 2.250-2.550mm |
| Термосопротивление переход-среда | 417 ℃/W |
| Dimensions lead length l | 0.550mm ref |
| Ток отсечки коллектора ICEO | 0.1μA |
| Ток отсечки база-эмиттер | 0.1 μA |
| Dimensions lead thickness c | 0.080-0.150mm |
| Ток коллектора Ic | 1.5A |
| Dimensions lead foot length l1 | 0.300-0.500mm |
| Ток отсечки коллектор-эмиттер | 0.1 μA |
| Граничная частота ft | 100MHz |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | 5V |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | 40V |
| Ток отсечки эмиттера Iebo | 0.1μA |
| Ток отсечки коллектора Icbo | 0.1μA |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | 25V |
| Pк | 300mW |
| Пробивное эмиттер-база | 5V |
| Base emitter saturation voltage vbesat | 1.2V |
| Напряжение пробоя коллектор-база Vbrcbo | 40V |
| Напряж. пробоя К-Э | 25V |
| Напряжение насыщения КЭ | 0.5V |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 417°C/W |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:SS8050KEEN SIDEТранзисторы биполярные (BJTs)
Поставщик
Сэлком
Арт.: 148591
Самовывоз и доставка
Цена
0,43 ₽
от 500 шт
Наличие
29 396 шт
Упаковка: 3000 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Загрузка…
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.