SS8550
Транзисторы биполярные (BJTs) · Производитель: KEEN SIDEКитай
25 В, 1e-07, 400, 0.3 Вт
Предложений: 1 · Всего: 22 678 шт
Технические параметры
| Напряжение коллектор-эмиттер (Vceo) | 25 В |
| Ток коллектора (Ic) | 1e-07 |
| Коэф. усиления (hFE) | 400 |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 0.3 Вт |
| Граничная частота (fT) | 100 МГц |
| Напряжение насыщения (Vce sat) | 0.5 В |
| Тип | PNP |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип | PNP |
| Маркировка | Y2 |
| Тип монтажа | SMD |
| Размеры | L: 0.550mm REF; A max: 1.150mm; A min: 0.900mm; B max: 0.500mm; B min: 0.300mm; C max: 0.150mm; C min: 0.080mm; D max: 3.000mm; D min: 2.800mm; E max: 1.400mm; E min: 1.200mm; Theta: 0°-8°; A1 max: 0.100mm; A1 min: 0.000mm; A2 max: 1.050mm; A2 min: 0.900m |
| Ток коллектора | -1.5 A |
| Корпус | SOT-23 |
| Рассеиваемая мощность | 300 mW |
| Напряжение база-эмиттер | -1 В |
| Complementary | SS8050 |
| Темп. хранения | -55～+150 ℃ |
| Темп. перехода | 150 ℃ |
| Напряжение эмиттер-база | -5 В |
| Темп. перехода Tj | 150°C |
| Hfe1 | 200-350 |
| Частота перехода | 100 MHz |
| Hfe2 | 40 min |
| Ток отсечки коллектора CBO | -100 nA |
| Напряжение коллектор-база | -40 В |
| Ток отсечки коллектора CEO | -100 nA |
| Выходная емкость коллектора | 20 pF |
| Напряжение коллектор-эмиттер | -25 В |
| Напряжение пробоя коллектор-база | -40 В |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | -25 В |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | -5 В |
| Напр. нас. база-эмиттер | -1.2 В |
| Ток отсечки эмиттера EBO | -100 nA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | -0.5 В |
| Термосопротивление переход-среда | 417 ℃/W |
| Collector output capacitance cob | 20pF |
| Ток отсечки коллектора ICEO | -100nA |
| Ток коллектора Ic | -1.5A |
| Base emitter voltage vbe | -1V |
| Граничная частота ft | 100MHz |
| Тепловое сопр. переход-среда | 417°C/W |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | -5V |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | -40V |
| Ток отсечки эмиттера Iebo | -100nA |
| Ток отсечки коллектора Icbo | -100nA |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | -25V |
| Pк | 300mW |
| Диапазон температур хранения | -55~+150°C |
| Пробивное эмиттер-база | -5V |
| Base emitter saturation voltage vbesat | -1.2V |
| Напряжение пробоя коллектор-база Vbrcbo | -40V |
| Напряж. пробоя К-Э | -25V |
| Напряжение насыщения КЭ | -0.5V |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:SS8550KEEN SIDEТранзисторы биполярные (BJTs)
Поставщик
Сэлком
Арт.: 148592
Самовывоз и доставка
Цена
0,43 ₽
от 500 шт
Наличие
22 678 шт
Упаковка: 3000 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Загрузка…
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.