Global Electronics Association и Accuris: SiC и GaN выходят за рамки выбора компонентов
Совместное исследование Global Electronics Association и Accuris показывает, что силовые приборы на карбиде кремния и нитриде галлия влияют уже не только на выбор компонентов, но и на проектирование изделий, производственные возможности и планирование поставок. Авторы призывают оценивать эти технологии на ранних стадиях проектирования.
Силовые приборы на карбиде кремния (SiC) и нитриде галлия (GaN) играют всё большую роль в электронике, и это выходит за рамки выбора компонентов — речь о проектировании изделий, производственных возможностях и планировании цепочек поставок. Такой вывод следует из нового исследования Global Electronics Association и Accuris — поставщика инженерных данных и данных об электронных компонентах.
В исследовании рассматривается растущее применение этих технологий в изделиях и инфраструктуре, где нужны повышенная энергоэффективность, компактность и надёжная работа силовой части: в электромобилях, системах возобновляемой энергетики, дата-центрах для ИИ, телекоммуникационной инфраструктуре и потребительской электронике.
Опираясь на базу данных компонентов Accuris Parts Database и данные о производстве, авторы показывают, как SiC и GaN меняют требования к разработке изделий, закупкам и печатным платам. Выводы подчёркивают важность оценки этих технологий на ранних стадиях проектирования и планирования — когда решения о характеристиках, материалах и производственных процессах ещё могут повлиять на надёжность и непрерывность поставок.
«Широкозонные силовые технологии вышли за пределы узкого инженерного разговора, — сказал Майк Карано, консультант по отраслевой аналитике Global Electronics Association. — Теперь это вопрос бизнеса и цепочек поставок для компаний всей электронной экосистемы. По мере роста спроса на более эффективные и производительные электронные системы разработчикам, производителям и закупщикам важно понимать не только то, где эти технологии применяются, но и что их использование означает для производственных возможностей, надёжности и непрерывности поставок».
SiC и GaN — не взаимозаменяемые технологии. SiC набирает силу в высоковольтных применениях большой мощности, тогда как GaN всё чаще применяют там, где особенно важны высокое быстродействие переключения и компактное преобразование энергии. Поэтому компаниям приходится согласовывать выбор технологии с требованиями приложения — и учитывать этот выбор при проектировании, закупках и планировании производства.
«Данные о компонентах дают ценный сигнал о том, куда движется внедрение технологий, но самый важный для отрасли вопрос — что эти тенденции означают на практике, — сказал Грег Джакнунас, старший директор по развитию продуктов Accuris. — Отчёт связывает данные рынка компонентов с реалиями электронного производства и помогает компаниям принимать более обоснованные решения, управляя целевыми показателями, рисками жизненного цикла и устойчивостью поставок».
Исследование также подчёркивает растущую важность сотрудничества по всей цепочке создания стоимости. По мере развития силовых приборов последствия затрагивают проектирование плат, материалы, технологические процессы, отвод тепла, доступность компонентов и надёжность конечного изделия. Совместный учёт этих факторов помогает компаниям выводить силовые системы нового поколения на рынок быстро и надёжно.
Подробности изложены в работе «SiC and GaN Power Devices Are Expanding — What the Parts Data (and the Fab Floor) Tell Us» Грега Джакнунаса (Accuris) и Майка Карано (Global Electronics Association). Это первый документ запланированной серии совместных технических обзоров о технологических и рыночных изменениях, важных для производителей электроники, разработчиков, поставщиков и заказчиков по всему миру.