Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
Плата на транзисторах GaNFast преобразует 800 В постоянного тока прямо в 12 В без промежуточной ступени на 50 В. Расчётный КПД при полной нагрузке — 97%, удельная мощность свыше 2000 Вт на кубический дюйм, формат 400 × 60 мм для установки прямо на вычислительную плату.
Компания Navitas Semiconductor объявила о плате подачи питания на 24 кВт с преобразованием 800 В постоянного тока в 12 В, разработанной вместе с NVIDIA для инфраструктуры ИИ-дата-центров следующего поколения. Плата построена на технологии GaNFast, поддерживает экосистему NVIDIA MGX и упрощает подачу питания к высокопроизводительным вычислительным процессорам. Решение должно быть показано на стенде партнёров NVIDIA AI Factory MGX Wall на всемирном саммите OCP 2026 года.
Эта плата расширяет линейку решений Navitas на 800 В постоянного тока для ИИ-дата-центров после ранее объявленной платы на 20 кВт с преобразованием 800 В в 6 В, тоже сделанной с NVIDIA. Обе платформы поддерживают переход к распределению постоянного тока высокого напряжения и применение нитрида галлия (GaN) и карбида кремния (SiC) в мощной инфраструктуре для ИИ.
Новая плата рассчитана на отдачу до 24 кВт при целевом КПД 97% на полной нагрузке и удельной мощности свыше 2000 Вт на кубический дюйм. Она выполнена в формате NVIDIA 400 × 60 мм и может встраиваться прямо в вычислительную материнскую плату рядом с процессорами. Такое размещение снижает потери при подаче питания и отвечает большим токам, которые нужны процессорам для ИИ следующего поколения.
Главная особенность — одноступенчатое преобразование: 800 В постоянного тока сразу в 12 В. Отказ от обычной промежуточной ступени с 50 В на 12 В сокращает число преобразований, потери и количество элементов. В итоге повышаются КПД и надёжность системы, уменьшается занимаемая площадь платы и упрощается распределение питания. Выход 12 В питает модуль стабилизатора напряжения, который и выдаёт процессорам напряжения в точке потребления.
В силовом каскаде со стороны высокого напряжения применены 16 транзисторов NV6034 GaNFast, каждый на 650 В с сопротивлением открытого канала 18 мОм. Они включены по схеме многоярусного полумоста и размещены в собственном корпусе DFN 8 × 8 мм с охлаждением с двух сторон. Такое исполнение обеспечивает нужные характеристики переключения и удельную мощность для компактных мощных преобразователей.
Плата с преобразованием 800 В в 12 В добавляет гибкости в общую линейку решений Navitas для питания ИИ: разработчик системы может выбирать напряжение промежуточной шины и устройство стабилизаторов под свои требования в точке потребления. Платформа поддерживает стратегию компании по замене обычных кремниевых силовых приборов изделиями на нитриде галлия и карбиде кремния по всей цепочке питания — от подключения к сети до подачи питания на процессор.