Navitas представила силовые SiC-модули на 2300 В для сетевой инфраструктуры
Navitas Semiconductor выпустила семейство сверхвысоковольтных SiC-модулей G4H08MT23GB4 на 2300 В в стандартном корпусе SiCPAK: сопротивление в открытом состоянии 8 мОм — лучший показатель в классе. Модули предназначены для твердотельных трансформаторов, накопителей энергии, солнечных инверторов и мегаваттной зарядки электромобилей.
Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS), разработчик силовых полупроводников и решений для доставки питания — от GaN до высоковольтных и сверхвысоковольтных SiC и технологий IVR, — объявила о семействе сверхвысоковольтных SiC-модулей для перспективной энергетики и сетевой инфраструктуры.
Новое семейство полноценных мостов G4H08MT23GB4 на 2300 В выполнено в стандартном корпусе SiCPAK и имеет сопротивление в открытом состоянии 8 мОм — лучший показатель в классе. Модули созданы, чтобы повысить КПД и удельную мощность твердотельных трансформаторов, промышленных накопителей энергии сетевого масштаба, солнечных инверторов и зарядной инфраструктуры для электромобилей мегаваттной мощности.
Этот результат даёт архитектура GeneSiC Trench-Assisted Planar (TAP) четвёртого поколения, а выпуск расширяет портфель сверхвысоковольтных SiC у Navitas на 2300 и 3300 В. Поскольку сетевые архитектуры питания всё чаще лежат в основе дата-центров для ИИ, сверхвысоковольтные SiC-модули Navitas дают среднее звено для твердотельных трансформаторов, которые преобразуют сетевое питание прямо в высоковольтные шины постоянного тока внутри стоек ИИ-дата-центров. Это ставит новое семейство в центр портфеля Navitas для инфраструктуры ИИ, охватывающего дата-центры ИИ, энергетику и сети, а также накопители энергии, солнечную генерацию, мегаваттную зарядку электромобилей, электролиз на топливных элементах и преобразование DC-DC, промышленные приводы и высоковольтные источники питания.
Модули также получили ряд конструктивных улучшений, отвечающих требованиям мощных применений. Подложка из алюмонитридной керамики (AlN) с активным металлическим соединением (AMB) обеспечивает лучшее растекание тепла и изоляцию свыше 5 кВ. Эпоксидная заливка снижает внутренние напряжения, ограничивает попадание влаги и загрязнений и даёт десятикратное улучшение теплопроводности по сравнению с силиконовым гелем. Сильноточные запрессовываемые выводы несут вдвое больший ток на вывод, чем стандартные. Доступен и необязательный предварительно нанесённый термоинтерфейс (TIM), который упрощает и стандартизирует сборку с радиатором.
Новое семейство будет аттестовано по внутреннему стандарту надёжности Navitas AEC-Plus, который испытывает изделия жёстче требований AEC-Q101 и JEDEC. Стандарт отражает ориентацию Navitas на срок службы систем в тяжёлых условиях эксплуатации, характерных для энергетики и сетевой инфраструктуры. Аттестация AEC-Plus включает испытания динамическим обратным смещением (DRB) и динамическим переключением затвора (DGS) — они воспроизводят жёсткие профили быстропереключающих применений — и более чем втрое увеличивает длительность статических испытаний при высокой температуре и высоком напряжении (HTRB, HTGB, HTGB-R). Кроме того, она включает расширенные испытания термоциклами и циклами мощности и даёт квалификацию HV-H3TRB (HV-THB) для силовых модулей, дискретных приборов и проверенных кристаллов (KGD).
«Наша архитектура GeneSiC Trench-Assisted Planar четвёртого поколения продолжает раздвигать пределы возможного в сверхвысоковольтных SiC, — сказал Пол Уилер, вице-президент и генеральный менеджер подразделения SiC в Navitas. — Новый модуль на 2300 В обеспечивает лучшее сопротивление в открытом состоянии среди всех приборов в корпусе SiCPAK, давая разработчикам систем проверенный и испытанный на надёжность строительный блок для твердотельных трансформаторов и накопителей энергии, которые меняют облик сетевой инфраструктуры и дата-центров для ИИ».
Образцы семейства G4H08MT23GB4(HC) доступны сразу, с вариантами предварительно нанесённого термоинтерфейса и сильноточного исполнения: G4H08MT23GB4 — полный мост, без термоинтерфейса, стандартные выводы; G4H08MT23GB4-T — полный мост, с термоинтерфейсом, стандартные выводы; G4H08MT23GB4HC — полный мост, без термоинтерфейса, сильноточные выводы; G4H08MT23GB4HC-T — полный мост, с термоинтерфейсом, сильноточные выводы. По запросу доступна система двойного импульсного теста (DPT) EVB-UHVSIC-GB-E-DPT-1 — она помогает инженерам оценить переключательные характеристики прибора. На сайте Navitas также можно скачать технический обзор технологии Trench-Assisted Planar.