📦
2N5401
Транзисторы биполярные (BJTs) · Производитель: КитайКитай
150 В, 0.6 А, 300, 0.3 Вт
Предложений: 1 · Всего: 211 шт
Технические параметры
| Напряжение коллектор-эмиттер (Vceo) | 150 В |
| Ток коллектора (Ic) | 0.6 А |
| Коэф. усиления (hFE) | 300 |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 0.3 Вт |
| Граничная частота (fT) | 100 МГц |
| Напряжение насыщения (Vce sat) | 0.5 В |
| Тип | PNP |
| Корпус | SOT-23 |
| Маркировка | 2L |
| Вес | 0.2 |
| Тип монтажа | SMD |
| Монтаж | выводные |
| В упаковке | 1000 |
| Тип компонента | PNP Transistor |
| Название компонента | MMBT5401 |
| Предельные значения | Vcbo: -160V; Vceo: -150V; Vebo: -5V; Ic continuous: -600mA; Pc dissipation: 300mW; Tj junction temp: 150°C; Tstg storage temp: -55 to +150°C; Rthja thermal resistance: 416°C/W |
| Классификация hFE | Rank h range: 200-300; Rank l range: 100-200 |
| Тепловое сопротивление | 200 °C/W |
| Темп. диапазон | Storage max: +150°C; Storage min: -55°C; Operating max: +150°C; Operating min: -55°C |
| Класс горючести | UL 94V-0 |
| Напряжение эмиттер-база | -5 В |
| Диапазон темп. перехода | -55~+150 °C |
| Частота перехода | 100 МГц |
| Напряжение коллектор-база | -160 В |
| Физические размеры | Кол-во выводов: 3; Pin names: BASE, EMITTER, COLLECTOR; Тип упаковки: SOT-23 |
| Электрические характеристики | Vbe sat1: -1.00V; Vbe sat2: -1.00V; Vce sat1: -0.2V; Vce sat2: -0.5V; Ft transition frequency: 100MHz; Hfe1 dc current gain 1ma: 80; Vbrcbo breakdown voltage: -160V; Vbrceo breakdown voltage: -150V; Vbreob breakdown voltage: -5V; Hfe3 dc current gain 50ma |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:2N5401КитайТранзисторы биполярные (BJTs)
Поставщик
Триатрон
Арт.: 287531
Доставка и самовывоз
Цена
2,05 ₽
от 800 шт
Наличие
211 шт
Упаковка: 800 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.