HGTG5N120BND onsemi

HGTG5N120BND

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) · Производитель: onsemiЗапад

1200 В, 21 А, 6 В, 167 Вт

Предложений: 2 · Всего: 82 шт

Даташит PDF

Технические параметры

Напряжение К-Э (Vces)1200 В
Ток коллектора (Ic)21 А
Порог затвора (Vge(th))6 В
Рассеив. мощность167 Вт
Время восстановления (trr)65 нс
ТипNPT (Non-Punch Through)
Рабочая температураот -55 до 150
КорпусTO-247

Где купить

Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков

Текущая привязка:HGTG5N120BNDonsemiТранзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Поставщик

Промэлектроника

Арт.: 438959

Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК

Цена

272,71 ₽

от 2 шт

от 8 шт256,60 ₽
от 16 шт243,47 ₽
от 30 шт233,71 ₽
от 90 шт226,44 ₽

Наличие

50 шт

Доставка

По запросу

Поставщик

Триатрон

Арт.: 237389

Доставка и самовывоз

Цена

296,78 ₽

от 16 шт

Наличие

32 шт

Упаковка: 16 шт

Доставка

1 дн.

Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду

Загрузка…

Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.

Заметили ошибку?