📦

SIHB25N50E-GE3

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: VishayЗапад

0.145 Ом, 4 В, 250 Вт, 1980 пФ

Предложений: 1 · Всего: 158 шт

Даташит PDF

Технические параметры

Сопротивление открытого канала (Rdson)0.145 Ом
Пороговое напряжение (Vgs th)4 В
Рассеиваемая мощность (Pd)250 Вт
Входная ёмкость (Ciss)1980 пФ
Рабочая температураот -55 до 150
КорпусD2PAK

Где купить

Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков

Текущая привязка:SIHB25N50E-GE3VishayТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

Поставщик

Триатрон

Арт.: 332166

Доставка и самовывоз

Цена

427,89 ₽

от 6 шт

Наличие

158 шт

Упаковка: 6 шт

Доставка

1 дн.

Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду

Загрузка…

Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.

Заметили ошибку?