Aratas представила компактное SiC-реле для систем на 3,3 кВ
Твердотельное реле G3VH на карбидкремниевом МОП-транзисторе сочетает низкое сопротивление открытого канала, быстрое переключение и изоляцию 5000 В в компактном корпусе. Выпускается в вариантах на 1800 и 3300 В.
Компания Aratas America LLC, ранее известная как OMRON Electronic Components, представила G3VH — твердотельное реле на карбидкремниевом МОП-транзисторе (SiC MOSFET) для коммутации высокого напряжения с рабочим напряжением нагрузки 1800 и 3300 В.
Новое реле рассчитано на применения, где одновременно требуются высокая электрическая прочность, малые потери мощности, быстрое переключение и компактное исполнение. G3VH отвечает растущему спросу на эффективные высоковольтные решения в возобновляемой энергетике, центрах обработки данных, промышленной автоматизации, транспорте и оборудовании для производства полупроводников.
Почему карбид кремния
Применение SiC-МОП-транзистора вместо привычных кремниевых силовых приборов позволило поднять рабочее напряжение, не увеличивая габариты. У карбида кремния выше электрическая прочность, чем у кремния, — именно это даёт G3VH работать с высоким напряжением нагрузки, сохраняя электрические характеристики.
Реле сочетает низкое сопротивление в открытом состоянии, малый ток утечки, высокую электрическую прочность и высокую скорость переключения. Такое сочетание снижает потери проводимости и тепловыделение и обеспечивает эффективную коммутацию в тяжёлых высоковольтных условиях.
Исполнения и характеристики
Серия G3VH выпускается в вариантах на 1800 и 3300 В и обеспечивает электрическую прочность изоляции 5000 В (среднеквадратичное значение) между входом и выходом. Такая изоляция нужна там, где требуется надёжное разделение цепей управления и нагрузки.
Прибор поставляется с выводами для печатного монтажа либо в корпусе DIP с шестью выводами для поверхностного монтажа — разработчик может выбрать исполнение под задачу уменьшения габаритов аппаратуры.
Где применять
По данным Aratas, реле улучшает и процессы контроля и испытаний: точнее выявляются дефекты и повышается достоверность проверок на соответствие. Ускорение контроля сокращает время испытаний и повышает пропускную способность оборудования, где высоковольтная коммутация используется для оценки полупроводников или электрических измерений.
G3VH предназначено для оборудования тестирования полупроводников, систем управления аккумуляторными батареями, измерительных приборов и других систем, которым нужна точная и надёжная коммутация высокого напряжения. Сочетание характеристик SiC-коммутации с компактным корпусом позволяет уменьшать габариты аппаратуры, сохраняя электрическую стабильность и точность измерений.
Появление G3VH расширяет применение карбида кремния за пределы привычных силовых полупроводниковых приборов и показывает его возможности в архитектуре высоковольтных реле.