Новости
Материалы каталога и лента отраслевых изданий: рынок электронных компонентов, производство полупроводников, поставки.
РазделыРынок 77Производство 22Микросхемы и вычисления 68Компоненты 91Системы и применения 96Китайские компоненты 76все разделы и темы ▾
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
В трёхфазном мосте дрели пусковой ток в 5–8 раз выше номинального, а при заклинивании у двигателя на 20 А он переваливает за 100 А. Разбор показывает, почему для платформы 12 В берут транзисторы на 30 В с сопротивлением 1,5 мОм и где теряются запасы по напряжению, защите, разводке и теплу.
CanSemi вышла на биржу: единственный в Китае серийный выпуск кремний-фотонных пластин на 12 дюймов
Акции первого в Гуандуне серийного производителя 12-дюймовых пластин выросли в день размещения на 223,06%, капитализация достигла примерно 111,7 млрд юаней. Компания освоила 90-нанометровую кремний-фотонную технологию и выпустила больше 7000 таких пластин.
Курс силовой электроники с QSPICE, выпуск 19: собираем простой повышающий преобразователь
От схемы до испытаний: преобразователь на MOSFET IRL540 и микроконтроллере PIC16F628A поднимает 12 В от свинцового аккумулятора примерно до 90 В при частоте 10 кГц. В статье разобраны таблица зависимости выхода от коэффициента заполнения, выбор дросселя, разводка платы и порядок сборки.
Утопленные 16-контактные гнёзда Type-C с защитой IPX7 в четырёх вариантах посадки
Гнёзда серии GT-USB-9117X прошли сертификацию USB IF с номером TID 16096 и проверку по IEC 62680-1-3. Утопление выбирается из четырёх значений — 0,8, 1,0, 1,6 и 2,1 мм, — а 16-контактное исполнение USB 2.0 держит мощность до 100 Вт.
Littelfuse выпустила автомобильные TVS-диоды с крайне низким напряжением ограничения
Серия TP7.0SMD-XC сочетает загибающуюся характеристику ограничения на 24 В с импульсной мощностью до 7000 Вт в корпусе DO-214AB. Защита рассчитана на цепи питания с микросхемами и MOSFET, у которых предельно допустимое напряжение оставляет мало запаса.
«Первая микросхема Гуанчжоу» подорожала на 274% в первый день торгов
Акции CanSemi открылись по 45 юаней против цены размещения 12,01, и владелец одного лота получил бумажную прибыль около 16,5 тыс. юаней. Главный козырь компании — единственное в материковом Китае серийное производство 12-дюймовых кремний-фотонных пластин, но прибыль пока отрицательная.
Монолитная интеграция диода Шоттки с GaN-транзистором снизила напряжение обратной проводимости на 41%
У транзисторов на нитриде галлия высокое напряжение открывания в обратном направлении, и встроенный диод Шоттки заметно улучшает дело. Группа из Юго-Восточного университета объединила на одном кристалле MIS-HEMT и диод с двумя каналами: напряжение упало до 1,55 В, а напряжение пробоя выросло до 860 В.
Infineon представила трёхфазный источник питания на 27 кВт для ИИ-серверов
Типовое решение отвечает требованиям спецификации OCP ORV3: КПД свыше 98% при 480 В и половинной нагрузке, удельная мощность 116 Вт на кубический дюйм против минимальных 94. Встроенный накопитель держит питание 20 мс при коротких нарушениях в сети и избавляет от отдельного конденсаторного блока.
Qualcomm выпустила два смартфонных процессора с упором на ИИ
Snapdragon 8 Elite Gen 6 и Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 получили новый сенсорный хаб, способный выполнять модели до 200 млн параметров, а старшая версия запускает локально MoE-модель на 30 млрд параметров. Первым аппаратом на Extreme стал Motorola Signature 27.
Сначала посмотри, потом режь: как находят первопричину отказов силовых приборов
Руководитель электронного направления Zeiss Microscopy Томас Роджерс рассказывает, как в лабораториях анализа отказов ищут причину выхода из строя SiC-MOSFET, IGBT и GaN-транзисторов: неразрушающая трёхмерная рентгеновская съёмка перед разрезанием образца, фемтосекундная лазерная абляция, полировка ионным пучком и возвращение старых методов вроде электронно-канального контраста.
Renesas вывела нитрид галлия в низковольтные применения: четыре транзистора на 100 В
Четыре транзистора E-типа на нитриде галлия имеют сопротивление открытого канала от 1,2 до 5 мОм и выводятся в корпусах, совместимых с кремниевыми MOSFET. Добротность при жёстком переключении у них ниже на 35%, при мягком — на 63%, а заряд обратного восстановления отсутствует.
Toshiba выпустила силовой модуль на SiC-MOSFET для 3300 В и 800 А
Сдвоенный модуль IX800FXF2YMS4 на транзисторах третьего поколения из карбида кремния предназначен для тяговых инверторов, твердотельных трансформаторов, источников бесперебойного питания и промышленных приводов. Встроенный диод выдерживает перегрузку с показателем I²t 300 кА²·с.
Renesas вывела нитрид галлия в низковольтные применения на 100 В
Первое семейство дискретных транзисторов на нитриде галлия с нормально закрытым каналом рассчитано на ИИ-дата-центры, роботов и промышленные приводы. Потери переключения ниже на 40–70%, а посадочное место совместимо с кремниевыми MOSFET.
Vishay выпустила силовые модули на 650 В с суперпереходными MOSFET
Четыре модуля в корпусе SOT-227 рассчитаны на токи 50, 100 и 150 А; один из них — низковольтный ключ с интегрированным диодом на карбиде кремния. Корпус стандартный, поэтому заменить прибор в готовой конструкции можно без переработки платы.
Гибридный контактор на тиристорах и SiC JFET для асинхронных двигателей
Исследователи ABB объединили кремниевые тиристоры с каскодными транзисторами на карбиде кремния: тиристоры держат восьмикратные пусковые перегрузки, а JFET обеспечивают высокий КПД на рабочем токе. Прототип показал КПД 99,62% и коэффициент гармоник 1,24%.
Murata покажет на electronica 2026 питание для SiC-драйверов и инерциальный модуль с микроконтроллером
На выставке компания представит изолированные преобразователи MGJ2T2 для питания драйверов затворов высоковольтных SiC-транзисторов и шестиосевой инерциальный модуль SCI36LT с собственным микроконтроллером в корпусе LGA. Подробные характеристики обоих изделий пока не раскрыты.
Magnachip добавила в линейку суперпереходных MOSFET шестого поколения 15 приборов
Серия E6 рассчитана на бытовую и вычислительную технику мощностью до 1 кВт. В корректоре коэффициента мощности телевизора прибор 600 В, 280 мОм работал примерно на 5,3% холоднее предыдущего поколения.
Широкозонные полупроводники: обзор новостей за сентябрь 2026 года
Месячный обзор ключевых новостей о карбиде кремния, нитриде галлия и широкозонных материалах. В выпуске: новые SiC-модули и процессы, сделки и альянсы Infineon, Navitas, Magnachip и DB HiTek, решения на GaN для ЦОД искусственного интеллекта, приводов и радаров. Отдельный раздел посвящён исследованиям широкозонных материалов — от гексагонального алмаза и NbAlN до двумерного оксида галлия.