Новости
Материалы каталога и лента отраслевых изданий: рынок электронных компонентов, производство полупроводников, поставки.
РазделыРынок 77Производство 22Микросхемы и вычисления 68Компоненты 91Системы и применения 96Китайские компоненты 76все разделы и темы ▾
CanSemi вышла на биржу: единственный в Китае серийный выпуск кремний-фотонных пластин на 12 дюймов
Акции первого в Гуандуне серийного производителя 12-дюймовых пластин выросли в день размещения на 223,06%, капитализация достигла примерно 111,7 млрд юаней. Компания освоила 90-нанометровую кремний-фотонную технологию и выпустила больше 7000 таких пластин.
«Первая микросхема Гуанчжоу» подорожала на 274% в первый день торгов
Акции CanSemi открылись по 45 юаней против цены размещения 12,01, и владелец одного лота получил бумажную прибыль около 16,5 тыс. юаней. Главный козырь компании — единственное в материковом Китае серийное производство 12-дюймовых кремний-фотонных пластин, но прибыль пока отрицательная.
Сначала посмотри, потом режь: как находят первопричину отказов силовых приборов
Руководитель электронного направления Zeiss Microscopy Томас Роджерс рассказывает, как в лабораториях анализа отказов ищут причину выхода из строя SiC-MOSFET, IGBT и GaN-транзисторов: неразрушающая трёхмерная рентгеновская съёмка перед разрезанием образца, фемтосекундная лазерная абляция, полировка ионным пучком и возвращение старых методов вроде электронно-канального контраста.
Гибридный контактор на тиристорах и SiC JFET для асинхронных двигателей
Исследователи ABB объединили кремниевые тиристоры с каскодными транзисторами на карбиде кремния: тиристоры держат восьмикратные пусковые перегрузки, а JFET обеспечивают высокий КПД на рабочем токе. Прототип показал КПД 99,62% и коэффициент гармоник 1,24%.
Гибридные размыкатели на SiC и кремнии: ниже стоимость, выше характеристики
Разбор результатов исследований гибридного твердотельного размыкателя цепи, в котором параллельно включены кремниевый IGBT и SiC MOSFET. Сравниваются потери проводимости, стоимость, выбросы напряжения и перегрузочная способность относительно решений только на SiC и только на IGBT.
Ещё плюс 40%: ответ TSMC — подорожание зрелых техпроцессов в 2027 году предрешено
Тайваньские контрактные производители UMC, PSMC и Шицзе Сяньцзинь (世界先进) ответили на скептицизм TSMC рекордной выручкой и планами повышения цен на зрелые техпроцессы до 40% в 2027 году на фоне спроса со стороны ИИ-серверов и сокращения 8-дюймовых мощностей.
ST представляет компактный интеллектуальный силовой модуль SLLIMM на 600 В для приводов двигателей
Новый модуль STGI15C60S на 20 А объединяет трёхфазный IGBT-инвертор, драйверы затворов и защитные функции в DBC-корпусе размером 18,8 × 32,8 мм — более чем на 30 % компактнее существующих IGBT-модулей на DBC.
Power Integrations выпустила одноплатный драйвер затвора для двухканальных IGBT-модулей 1,2–2,3 кВ
SCALE-iFlex XLT подходит к модулям LV100 от Mitsubishi, XHP 2 от Infineon и HPnC от Fuji Electric с напряжением до 2300 В. Изолированное считывание NTC позволяет поднять мощность преобразователя на 25–30% на том же оборудовании.
onsemi: кремний и карбид кремния для промышленных накопителей и сервоприводов
Новый модуль FBP закрывает инверторы 350 кВт для солнечной энергетики и 250 кВт для накопителей. Для сервоприводов вышел SiC-модуль на 70 А в том же корпусе SPM31, что и 35-амперный IGBT: удвоение плотности мощности и радиатор впятеро-вдесятеро меньше.
Указ №14420: США запрещают зарубежное оборудование для магистральных электросетей от 69 кВ
Президент США подписал указ №14420, который вводит режим чрезвычайного положения и запрещает закупку, импорт и установку крупного электрооборудования и связанного ПО от «охваченных иностранных субъектов» в сетях напряжением 69 кВ и выше. При этом около 80% крупных силовых трансформаторов и 90% инверторов коммунального класса США импортируют, значительную долю — из Китая, а собственные мощности покрывают лишь около 15% потребности в крупных трансформаторах.