CXMT объявила о серийном производстве пятой технологической платформы DRAM

На Всемирной конференции по обрабатывающей промышленности 2026 CXMT объявила о запуске серийного производства пятой технологической платформы: полушаг активной области 11,95 нм, выход с пластины выше на 50%, LPDDR5X 24 ГБ уже в китайских флагманских смартфонах.

20 сентября на Всемирной конференции по обрабатывающей промышленности 2026 компания CXMT объявила об официальном запуске серийного производства пятой технологической платформы.

Как сообщается, CXMT довела полушаг активной области массива памяти до 11,95 нм, соотношение глубины к ширине конденсатора ячейки памяти достигло 45:1, а высота ключевой рабочей зоны снижена до 6762 нм.

Одновременно на пятой технологической платформе значительно повышена плотность хранения. При равных условиях выход продукции с одной пластины по сравнению с платформой предыдущего поколения увеличен более чем на 50%. Созданная на этой платформе микросхема LPDDR5X ёмкостью 24 ГБ уже запущена в серийное производство и в полном объёме вошла в китайские флагманские смартфоны ведущих брендов.

По информации официального сайта CXMT, линейка LPDDR5X охватывает несколько форм исполнения: кристаллы, микросхемы и модули. Кристаллы предлагаются в двух вариантах ёмкости — 12 Гбит и 16 Гбит; микросхемы выпускаются в конфигурациях 12 ГБ, 16 ГБ и 24 ГБ; модули LPCAMM доступны ёмкостью 16 ГБ и 32 ГБ.

По скорости серия поддерживает три ступени — 8533 Мбит/с, 9600 Мбит/с и 10667 Мбит/с — и совместима со стандартом LPDDR5, предоставляя пользователям гибкий путь модернизации.