DB HiTek квалифицировала техпроцесс SiC MOSFET на 1200 В на 8-дюймовых пластинах
Южнокорейская контрактная фабрика DB HiTek завершила квалификацию надёжности техпроцесса SiC MOSFET на 1200 В на 200-мм пластинах, предоставляет PDK первого и второго поколений, в ноябре выпустит PDK третьего поколения и нацелена на серийное производство в 2027 году.
DB HiTek завершила квалификацию надёжности своего техпроцесса MOSFET на карбиде кремния (SiC) с напряжением 1200 В на 8-дюймовых (200 мм) пластинах, продвинув планы южнокорейской контрактной фабрики по выходу на рынок 8-дюймового SiC-фаундри. Компания нацелена на серийное производство в 2027 году.
Силовые полупроводники на SiC всё шире применяются в высокотемпературных и высоковольтных приложениях, включая электромобили, системы возобновляемой энергетики и промышленное силовое оборудование. Хотя в производстве SiC сейчас доминируют 6-дюймовые пластины, производители полупроводников переходят на 8-дюймовые, чтобы повысить эффективность производства и ценовую конкурентоспособность.
DB HiTek сообщила, что разработала 8-дюймовый SiC-техпроцесс и создала, по её собственному определению, первый в мире полный маршрут SiC-фаундри на 1200 В для 8-дюймовых пластин. Платформа рассчитана на сопровождение заказчиков от проектирования и производства до электрической характеризации и квалификации надёжности.
Для поддержки разработки продуктов компания предоставляет комплекты Process Design Kit (PDK) для техпроцессов SiC MOSFET на 1200 В первого и второго поколений. Выпуск PDK третьего поколения запланирован на ноябрь.
Техпроцесс второго поколения обеспечивает удельное сопротивление в открытом состоянии не более 2,5 мОм·см² и пороговое напряжение не менее 3 В при напряжении затвора в открытом состоянии 18 В. Этот техпроцесс также прошёл квалификацию надёжности.
Техпроцесс третьего поколения DB HiTek проходит квалификацию с целевым удельным сопротивлением в открытом состоянии не более 2,3 мОм·см² при напряжении затвора 18 В. Также заявлена цель по времени выдерживания короткого замыкания не менее 2,5 мкс в области безопасной работы при коротком замыкании.
Компания планирует завершить подготовку техпроцесса и открыть доступ давним заказчикам в третьем квартале этого года, а во втором квартале 2027 года сделать сервис доступным для всех заказчиков.
DB HiTek заявила, что продолжит подготовку к серийному производству 8-дюймового SiC в 2027 году, стремясь закрепиться на рынке и усилить конкурентоспособность в секторе фаундри силовых полупроводников следующего поколения.