Доля CXMT на мировом рынке DRAM впервые превысила 10 %
По данным Counterpoint Research, во втором квартале 2026 года доля CXMT в мировой выручке от DRAM достигла 10 % — четвёртое место в мире и первый двузначный результат китайского производителя памяти. Совокупная доля Samsung Electronics, SK hynix и Micron снизилась до 87 % — впервые за десять лет ниже 90 %.
По последним данным исследовательской компании Counterpoint Research, во втором квартале 2026 года доля CXMT (ChangXin Memory Technologies) в мировой выручке от DRAM достигла 10 %, что соответствует четвёртому месту в мире. Это первый случай, когда китайский производитель памяти получил двузначную долю на мировом рынке DRAM.
Доля растёт несколько кварталов подряд
Доля CXMT в выручке от DRAM непрерывно росла последние три года:
— 2023 год: мировая доля по выручке менее 1 %; — второй квартал 2025 года: 4 %; — первый квартал 2026 года: 8 %; — второй квартал 2026 года: 10 % — плюс 4 процентных пункта год к году и плюс 2 процентных пункта квартал к кварталу.
В том же квартале Samsung Electronics занимала первое место с долей 38 %, SK hynix — второе с 25 %, Micron — третье с 24 %. Совокупная доля трёх ведущих производителей составила 87 % против 94 % годом ранее — впервые за десять лет она опустилась ниже 90 %.
В начале августа Counterpoint оценивала долю CXMT за второй квартал примерно в 7 %. После публикации CXMT отчётности за первое полугодие (выручка 150,31 млрд юаней, рост на 873,64 % год к году; чистая прибыль 77,605 млрд юаней против убытка годом ранее) Counterpoint пересмотрела оценку до 10 %. Ранее и Counterpoint, и UBS прогнозировали, что CXMT достигнет доли 10 % лишь в 2028 году.
Изменение структуры спроса и предложения на мировом рынке DRAM
Во втором квартале мировая выручка от DRAM выросла на 385 % год к году и на 57 % квартал к кварталу; рост обеспечен главным образом спросом, связанным с ИИ.
В этот же период Samsung, SK hynix и Micron перевели часть передовых мощностей на HBM (память с высокой пропускной способностью). Micron ранее публично поясняла, что перевод линий на HBM требует пересчёта пластин примерно 3:1 — каждая пластина, направленная на HBM, эквивалентна сокращению выпуска примерно трёх пластин DDR5. Предложение обычной DRAM (DDR5, LPDDR5X) соответственно сократилось.
CXMT в тот же период наращивала мощности на площадке в Хэфэе, и её поставки DDR5 и LPDDR5X выросли. По информации рыночных агентств, её цены отличаются от аналогичной продукции корейских и американских производителей примерно на 5–10 %.
Текущее состояние продуктовой линейки CXMT:
— DDR5 выпускается серийно; — 29 августа объявлено о начале серийного производства LPDDR6 с пиковой скоростью 12 800 Мбит/с — компания стала первым в мире производителем, выведшим продукт этого стандарта в коммерческое производство; — высокоскоростная LPDDR5X на 10 667 Мбит/с впервые запущена в серийное применение; — начато мелкосерийное производство HBM3E, образцы переданы китайским разработчикам ИИ-чипов, расширение масштабов запланировано на 2027 год.
Концентрация рынка DRAM меняется. Совокупная доля тройки лидеров — 87 %, на 7 процентных пунктов ниже, чем годом ранее. CXMT последние три квартала прибавляет примерно по 2 процентных пункта доли в квартал; дальнейшая динамика будет зависеть от темпов расширения мощностей и изменения рыночного спроса.
Доля китайских производителей памяти растёт по обеим продуктовым линиям. В сегменте NAND доля поставок YMTC ранее уже вошла в мировую тройку (как сообщалось 13 августа); в сегменте DRAM доля CXMT в этом квартале достигла 10 %. Компании расположены соответственно в Хэфэе и Ухане.
Рынок HBM по-прежнему контролируют три производителя. По оценке Counterpoint, в выручке от HBM на SK hynix приходится около 50 %, на Samsung — около 33 %, на Micron — около 18 %. HBM3E от CXMT находится на стадии мелкосерийного производства и отправки образцов, до масштабных поставок ещё далеко, и её реальное влияние на снабжение памятью китайских разработчиков ИИ-чипов предстоит оценить позднее.