Рекорд квартальной прибыли: за год Samsung заработает больше, чем за 40 лет
Отрасль памяти переживает структурный суперцикл, вызванный гонкой вычислительных мощностей для ИИ: спрос на HBM и DDR5 вытесняет производство традиционной DRAM, а цены растут по всем категориям. Samsung и SK hynix ожидают рекордную квартальную прибыль, а дефицит на рынке может сохраниться до 2030 года.
Сейчас отрасль памяти переживает «структурный суперцикл», напрямую запущенный гонкой вооружений в области вычислительных мощностей для ИИ. Прежде всего это взрывной, вызванный ИИ спрос на такие высококлассные продукты, как HBM и DDR5: из-за него массово вытесняются мощности под традиционную DRAM, а цены на микросхемы памяти всех категорий резко растут.
Производителям памяти это приносит поразительные финансовые результаты. По данным FnGuide, которые приводит «Сеульская экономическая газета», прогноз операционной прибыли Samsung за весь год может достичь примерно 270 трлн вон (около 192,8 млрд долларов) — прибыль за один год превысит сумму за предыдущие 40 лет. При этом недавно опубликованные ожидания Samsung и SK hynix по итогам третьего квартала у обеих компаний стали историческими рекордами.
«Взрывные» прогнозы по прибыли
По сводным данным FnGuide, на которые ссылаются корейские СМИ, операционная прибыль Samsung Electronics в третьем квартале ожидается на уровне 111,8 трлн вон, у SK hynix — 78,08 трлн вон, вместе 189,9 трлн вон (около 139 млрд долларов). Обе компании обновили исторический максимум по одному кварталу.
Прибыль Samsung за третий квартал приближается к 2,6-кратной величине прибыли за весь прошлый год (43,6 трлн вон), а квартальная прибыль SK hynix одним рывком превысила суммарную операционную прибыль за два года, 2024-й и 2025-й (70,67 трлн вон). Чтобы понять масштаб 189,9 трлн вон: это уже примерно 28% всего годового бюджета центрального правительства Кореи.
Ещё сильнее впечатляет прогноз операционной прибыли Samsung за весь год — до 270 трлн вон: прибыль за один год превышает сумму за предыдущие 40 лет. Разумеется, это напрямую связано с наращиванием поставок HBM4 у Samsung.
Хотя в эпоху HBM3 Samsung уступала SK hynix, на HBM4 она перешла в мощное контрнаступление. Сейчас Samsung сумела попасть в заказы на новое поколение вычислительной платформы NVIDIA и получила около 30% объёма, остальные 70% приходятся на SK hynix. При этом цель Samsung — во втором полугодии довести свою долю на мировом рынке HBM до уровня, сопоставимого с её долей на рынке DRAM (38%). UBS прогнозирует, что в 2027 году Samsung с 41% с небольшим перевесом обойдёт SK hynix с 39%.
В конце июля этого года Samsung прямо спрогнозировала, что продажи HBM4 в третьем квартале вырастут более чем вдвое по сравнению с предыдущим кварталом, а во втором полугодии на HBM4 придётся более 60% всех продаж HBM.
Отслеживая показатель экспорта «многокристальной памяти» в данных корейской таможни, можно увидеть, что из провинции Чхунчхон-Намдо, домашней базы Samsung, в июле было экспортировано продукции на 2,2 млрд долларов — рост на 122% к предыдущему месяцу. При этом стоимость единицы веса подскочила на 21% к предыдущему месяцу и оказалась почти в 4 раза выше, чем у SK hynix, что подтверждает: Samsung крупными партиями отгружает более дорогую HBM4.
SK hynix, в свою очередь, тоже в последнее время действует активно. Её завод передовой упаковки в американском штате Индиана заложен ещё в конце августа, общий объём инвестиций превышает 4 млрд долларов. Чистые помещения заработают во втором полугодии 2028 года, серийный выпуск HBM4E закреплён за третьим кварталом 2029 года, а цель — к 2030 году стать основной производственной базой HBM в США с итоговой мощностью в несколько сотен тысяч пластин в год.
Кроме того, как сообщает Reuters со ссылкой на три осведомлённых источника, SK hynix обсуждает с Intel возможность впервые выпускать микросхемы памяти непосредственно на территории США. Среди вариантов — аренда части мощностей завода Intel в Огайо либо создание совместного предприятия силами SK hynix, Intel и крупных облачных компаний, желающих закрепить за собой поставки памяти.
Одновременно дочерняя компания SK hynix по флеш-памяти NAND, Solidigm, рассматривает выход на американскую биржу в 2027 году с оценкой, которая может достигнуть 150 млрд долларов; если сделка состоится, она способна обновить исторический рекорд полупроводниковых IPO на рынке США. Основной бизнес Solidigm — флеш-память NAND и SSD корпоративного класса, компания является ключевым поставщиком ёмких накопителей для ИИ-центров обработки данных.
Разрыв спроса и предложения — максимум за 15 лет, микросхемы памяти входят в «новую норму» высоких цен
Хотя два гиганта памяти ставят всё новые рекорды по финансовым результатам, со стороны рынка картина такая: спрос, разгоняемый ИИ, растёт на 26%, а предложение — лишь на 21%, и это уже самый большой разрыв между спросом и предложением за последние 15 лет. При этом запасов DRAM и NAND остаётся всего около 4 недель — намного ниже безопасного уровня.
К тому же новому заводу от начала строительства до запуска производства нужно не менее 1,5 года, а по внутренним документам SK hynix, новые мощности в лучшем случае начнут отдавать продукцию только в 2028 году. Глава SK hynix прямо заявил, что дефицит микросхем памяти, как ожидается, продлится до конца 2030 года. На рынке говорят, что сигнал о подорожании памяти уже дошёл до готовых систем: DDR5 SO-DIMM за 12 месяцев подорожала примерно в 6 раз.
Чтобы закрепить за собой мощности, многие производители начали заключать с изготовителями памяти долгосрочные соглашения (LTA). SK hynix уже завершила переговоры по LTA примерно с 10 заказчиками; срок контрактов — около 5 лет, в них предусмотрены задатки или механизмы гарантии исполнения. Micron также раскрыла, что LTA охватывают 20% её DRAM и более 20% NAND и при расчёте по минимальной цене способны принести 100 млрд долларов выручки за следующие 5 лет.
С другой стороны, поскольку все три компании — Samsung, SK hynix и Micron — отдают мощности DRAM прежде всего под HBM3, HBM3E и HBM4, это напрямую сжимает предложение DDR5 как для потребительского, так и для корпоративного рынка. Если такая динамика сохранится до 2027 года, подорожают не только потребительские системы: изменится и положение с ИИ-инференсом на границе сети, ведь распространение LPDDR6 точно так же зависит от того, смогут ли производители памяти вводить новые техпроцессы, не отъедая дополнительно предложение DDR5.
Это уже начало влиять на поставки товаров потребительского сегмента. Например, немецкий производитель премиальных ноутбуков XMG ранее сообщил, что с июля 2025 года закупочные цены на ноутбучную DDR5 SO-DIMM выросли почти в 6 раз, а настольная DDR5 за тот же период подорожала примерно на 500%. XMG вынужденно повысила цены на всю линейку игровых ноутбуков на 100–300 евро (около 774–2320 юаней), а для конфигураций с RTX 5090 добавила ещё 120 евро.
Одновременно растут и затраты на печатные платы, процессоры, видеокарты, видеопамять GDDR, а подорожавшая из-за ситуации на Ближнем Востоке страховка морских перевозок добавляет проблем. Получается, что облачные компании фиксируют поставки через LTA, OEM-производители переносят издержки в цену готовых систем, а обычные потребители и корпоративные заказчики принимают на себя все колебания спотового рынка.
Поэтому ряд аналитических организаций ожидает, что средняя цена реализации DRAM у Samsung в третьем квартале вырастет на 16,5% к предыдущему кварталу. Хорошая новость в том, что в четвёртом квартале прирост сузится до 5,4%, и причина — в том, что контракты LTA на фазе роста цен ограничивают и верхнюю границу прибыли.
Во взглядах на рынок начинается расхождение: как уже говорилось, глава Micron считает, что дефицит DRAM сохранится и после 2027 года, а генеральный директор ASUS Чэнь Цзюньшэн (陈俊圣) прямо заявил, что цены на комплектующие пойдут вниз уже во втором полугодии 2027 года. Не исключено, что долгосрочные оптимистичные заявления производителей микросхем нужны им, чтобы максимально растянуть период высокой маржинальности.
Впрочем, по мере постепенного ввода новых мощностей — Samsung на площадке P4 в Пхёнтхеке, SK hynix на Y2 в Йонине — доля HBM в общем объёме пластин, запускаемых под DRAM, вырастет в 2027 году примерно до 35%, и давление на универсальную DRAM, как ожидается, достигнет пика. По оценкам некоторых организаций, в 2027 году разрыв между спросом и предложением в битовом исчислении превысит 10 процентных пунктов.
Интересно, что сейчас большинство аналитических организаций считает: обвала образца 2019 года на рынке памяти в будущем не произойдёт, скорее будет движение в боковике на высоких уровнях. Причина в том, что долгосрочные контракты LTA фиксируют нижнюю границу цен на серверную память, а в потребительском сегменте темпы роста цен замедляются, но сильного отката ждать сложно.
Итог
Это не просто очередной цикл подорожания памяти: ИИ превращает микросхемы памяти из сильно цикличного биржевого товара, каким они были раньше, в долгосрочную инфраструктуру эпохи ИИ. Квартальная прибыль Samsung и SK hynix суммарно почти в 190 трлн вон — лишь внешнее проявление. По-настоящему внимания заслуживает то, что долгосрочные соглашения LTA, перенос производства в США и смена поколений на HBM4 коренным образом переписывают логику оценки стоимости и расстановку сил в этой отрасли.