ЭлектроПоиск

компоненты в наличии

Загрузить BOMили вставить список

Каталог Корпуса Новости Симулятор

Память и хранение

DRAM, NAND, HBM и накопители: новые изделия, дефицит и цены на память.

РазделыРынок 79Производство 22Микросхемы и вычисления 71Компоненты 99Системы и применения 104Китайские компоненты 76все разделы и темы ▾

Рынок

Геополитика и экспортный контроль 10 Сделки, инвестиции и IPO 19 Цены и дефицит 11 Прогнозы и статистика рынка 39

Производство

Фабрики, техпроцессы и оборудование 14 Кремниевые пластины и материалы 1 Корпусирование и сборка 3 Печатные платы 4

Микросхемы и вычисления

Процессоры и ускорители ИИ 22 Память и хранение 8 Архитектуры и чиплеты 8 Дата-центры и инфраструктура ИИ 14 САПР, ПО и средства разработки 19

Компоненты

Силовые полупроводники 27 Источники и модули питания 20 Пассивные и магнитные компоненты 19 Защита цепей 8 Датчики 14 Разъёмы и электромеханика 5 Оптоэлектроника и лазеры 6

Системы и применения

Встраиваемые системы и одноплатники 33 Робототехника и дроны 26 Беспроводная связь и РЧ 20 Автоэлектроника и электромобили 14 Измерения и испытания 11

Китайские компоненты

Аналоги и замены 63 Китайские новинки 13

← все разделы

Тема «Нитрид галлия» · Показано 1–1 из 1 · сбросить тему

21 сентября 2026 г.

CXMT объявила о серийном производстве пятой технологической платформы DRAM

На Всемирной конференции по обрабатывающей промышленности 2026 CXMT объявила о запуске серийного производства пятой технологической платформы: полушаг активной области 11,95 нм, выход с пластины выше на 50%, LPDDR5X 24 ГБ уже в китайских флагманских смартфонах.

Заметили ошибку?