Силовые полупроводники
Карбид кремния, нитрид галлия, IGBT и MOSFET, силовые модули и драйверы затвора.
РазделыРынок 79Производство 22Микросхемы и вычисления 71Компоненты 99Системы и применения 104Китайские компоненты 76все разделы и темы ▾
GaN-транзисторы EPC2361 довели преобразователь на 4 кВт до КПД 98,8%
Efficient Power Conversion сообщила, что её GaN-транзисторы EPC2361 использованы в эталонном проекте понижающе-повышающего преобразователя Analog Devices на 4 кВт. Двухфазная платформа EVAL-LT7930-AZ с контроллером LT7930 принимает от 36 до 65 В и выдаёт 48 В, типичный КПД доходит до 98,8%.
Renesas вывела нитрид галлия в низковольтные применения: четыре транзистора на 100 В
Четыре транзистора E-типа на нитриде галлия имеют сопротивление открытого канала от 1,2 до 5 мОм и выводятся в корпусах, совместимых с кремниевыми MOSFET. Добротность при жёстком переключении у них ниже на 35%, при мягком — на 63%, а заряд обратного восстановления отсутствует.
Renesas вывела нитрид галлия в низковольтные применения на 100 В
Первое семейство дискретных транзисторов на нитриде галлия с нормально закрытым каналом рассчитано на ИИ-дата-центры, роботов и промышленные приводы. Потери переключения ниже на 40–70%, а посадочное место совместимо с кремниевыми MOSFET.
EPC начала серийный выпуск интегральных силовых микросхем на нитриде галлия для 100 В
Семейство EPC23108/09/10/11 объединяет верхний и нижний транзисторы eGaN, драйверы затвора и схему сдвига уровня в корпусе QFN. Токи 20 и 35 А, работа при 100% коэффициенте заполнения, быстрое отключение при аварии.