Карбид кремния, нитрид галлия, IGBT и MOSFET, силовые модули и драйверы затвора.
Совместное исследование Global Electronics Association и Accuris показывает, что силовые приборы на карбиде кремния и нитриде галлия влияют уже не только на выбор компонентов, но и на проектирование изделий, производственные возможности и планирование поставок. Авторы призывают оценивать эти технологии на ранних стадиях проектирования.
Месячный обзор ключевых новостей о карбиде кремния, нитриде галлия и широкозонных материалах. В выпуске: новые SiC-модули и процессы, сделки и альянсы Infineon, Navitas, Magnachip и DB HiTek, решения на GaN для ЦОД искусственного интеллекта, приводов и радаров. Отдельный раздел посвящён исследованиям широкозонных материалов — от гексагонального алмаза и NbAlN до двумерного оксида галлия.
Южнокорейская контрактная фабрика DB HiTek завершила квалификацию надёжности техпроцесса SiC MOSFET на 1200 В на 200-мм пластинах, предоставляет PDK первого и второго поколений, в ноябре выпустит PDK третьего поколения и нацелена на серийное производство в 2027 году.