· Силовые полупроводники

Taiwan Semi расширяет серию TQM сдвоенными MOSFET на 60 В

Новые автомобильные сдвоенные n-канальные MOSFET на 60 В в корпусе PDFN56UD сочетают низкое RDS(on), большой ток стока и смачиваемые боковые контакты для компактных автомобильных силовых схем высокой плотности.

Taiwan Semiconductor Corporation (TSC) расширила серию TQM автомобильных силовых MOSFET новым семейством сдвоенных n-канальных MOSFET на 60 В в компактном корпусе PDFN56UD. Приборы предназначены для автомобильной силовой электроники с жёсткими ограничениями по месту и сочетают большой ток стока, низкое сопротивление в открытом состоянии и улучшенные тепловые характеристики в низкопрофильном корпусе.

Корпус PDFN56UD размером 5 × 6 мм имеет контакты-теплораспределители, улучшающие отвод тепла и поддерживающие более высокую плотность мощности. Приборы также совместимы по выводам с распространёнными типами корпусов, что позволяет разработчикам перейти на сдвоенную конфигурацию MOSFET без существенной переработки топологии печатной платы.

Ключевая особенность — конструкция корпуса со смачиваемыми боковыми контактами (wettable flanks). Открытые боковые выводы позволяют применять автоматизированный оптический контроль и улучшают видимость паяного соединения, помогая производителям выполнять требования к монтажу автомобильных плат и повышая выход годных при сборке. Технология корпуса также отвечает требованиям квалификации AEC-Q для автомобильных применений.

Первоначальная линейка сдвоенных MOSFET на 60 В включает два прибора. TQM130NH06DCR имеет напряжение пробоя сток-исток 60 В, RDS(on) 13 мОм, ток стока 40 А и заряд затвора 16,2 нКл. TQM130NH06LDCR при тех же 60 В, RDS(on) 13 мОм и токе стока 40 А имеет уменьшенный заряд затвора 8,1 нКл, что делает его подходящим для применений, где важны коммутационные характеристики.

Сдвоенная конфигурация MOSFET сокращает площадь печатной платы и может снизить стоимость спецификации (BOM) по сравнению с реализациями на одиночных приборах. Оба компонента выпускаются в соответствии с требованиями AEC-Q; для автомобильных проектов доступна документация PPAP (production part approval process).

Целевые применения — H-мостовые и полумостовые выпрямители, управление двигателями и исполнительными механизмами, драйверы соленоидов. Образцы уже доступны; заявленный срок поставки серийных партий — около шести недель с момента получения заказа (ARO). Taiwan Semiconductor также предоставляет даташиты, SPICE-модели и CAD-ресурсы: условные графические обозначения, посадочные места для печатных плат и 3D-модели.

Материал Power Electronics News, перевод ЭлектроПоиск.
Оригинал публикации: https://www.powerelectronicsnews.com/taiwan-semi-expands-tqm-series-with-60v-dual-mosfets/
Смотреть в каталоге

Другие новости

Заметили ошибку?