Технология SiC от ST позволила платформе DG Matrix Interport достичь 400 кВт
Платформа Interport достигла мощности 400 кВт практически в тех же габаритах при КПД выше 98,5 % для применений с высокой плотностью мощности.
Компания DG Matrix увеличила мощность своей многопортовой платформы твердотельного трансформатора Interport с 200 кВт до 400 кВт, используя карбидокремниевую (SiC) технологию последнего поколения от STMicroelectronics. Прирост мощности достигнут практически в тех же физических габаритах, что демонстрирует, как технология широкозонных полупроводников способна повышать плотность мощности в твердотельных системах преобразования энергии.
STMicroelectronics поставляет SiC-технологию компании DG Matrix с момента разработки платформы Interport. По словам д-ра Субхашиша Бхаттачарьи, сооснователя и технического директора DG Matrix, «DG Matrix повысила плотность мощности своего решения за счёт применения SiC MOSFET поколения Gen3 от ST. Сочетание передовой SiC-технологии с более низким RDS(on) и термически оптимизированного корпуса повысило общий КПД системы, одновременно обеспечив большую мощность в меньших габаритах».
Приборы последнего поколения позволяют системе работать с более высокой мощностью, сохраняя КПД выше 98,5 %. Полученный прирост плотности мощности особенно актуален для инфраструктуры центров обработки данных, где растущие нагрузки ИИ повышают требования к мощности на уровне стойки и усиливают потребность в компактном оборудовании для преобразования энергии.
Разработка появилась в момент, когда центры обработки данных всё активнее оценивают архитектуры питания 800 В постоянного тока для вычислительной инфраструктуры высокой плотности. Согласно анализу SemiAnalysis, на который ссылается DG Matrix, к 2030 году примерно 39 ГВт новых мощностей центров обработки данных могут быть построены на архитектуре 800 В постоянного тока. Рост мощности GPU-стоек и переход на системы распределения с более высоким напряжением формируют новые требования к твердотельным трансформаторам, способным эффективно преобразовывать большие объёмы электрической мощности и управлять ими.
Сотрудничество DG Matrix и ST выходит за рамки поставки полупроводников. ST оказывала техническую поддержку и делилась экспертизой для оптимизации SiC-приборов в составе платформы Interport, включая вопросы напряжения, тока и тепловых характеристик. SiC-приборы также обладают высокой стойкостью к импульсным токам — важная характеристика для систем питания центров обработки данных, подверженных быстрым изменениям нагрузки, связанным с рабочими нагрузками ИИ.
Эти отношения имеют технические корни в работах д-ра Субхашиша Бхаттачарьи, сооснователя и технического директора DG Matrix, который ранее разрабатывал силовые электронные системы на приборах ST. Его работы включали твердотельные трансформаторы для сетей постоянного тока, тяговые электроприводы и DC-DC-преобразователи для вспомогательных систем питания. Бхаттачарья также является одним из основателей FREEDM Systems Center и PowerAmerica — института Министерства энергетики США, специализирующегося на широкозонной и GaN силовой электронике.
Сейчас DG Matrix расширяет дорожную карту продуктов в сторону платформ среднего напряжения с более высокими рабочими напряжениями и более массовых внедрений в гипермасштабируемых центрах обработки данных, инфраструктуре неооблаков (neocloud) и проектах электрификации. Компания планирует внедрять будущие поколения SiC-технологии в семейство продуктов Interport.
Итоговая платформа призвана обеспечить масштабируемую инфраструктуру питания для ИИ-центров обработки данных, микросетей энергокомпаний и применений в области электрификации, сочетая более высокую плотность мощности с КПД и коммутационными характеристиками преобразования энергии на основе SiC.