12N65
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: HXYКитай
650 В, 12 А, 0.67 Ом, ?
Предложений: 1 · Всего: 700 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 650 В |
| Ток стока (Id) | 12 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.67 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | ? |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 42 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1993 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Корпус | TO-220F |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:12N65HXYТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
РУ Электроникс
Арт.: 123213
Москва самовывоз. Платно: Деловые линии, СДЭК, ПЭК
Цена
35,74 ₽
от 1 шт
| от 10 шт | 35,74 ₽ |
Наличие
700 шт
Доставка
2 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.