📦
BSZ120P03NS3GATMA1
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: INFКитай
30 В, 40 А, 0.012 Ом, 1.9 В
Предложений: 1 · Всего: 57 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 30 В |
| Ток стока (Id) | 40 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.012 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 1.9 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 52 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 3360 пФ |
| Тип канала | ? |
| Рабочая температура | от -55 до 150 °C |
| Корпус | TSDSON-8FL |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:BSZ120P03NS3GATMA1INFТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 1024576
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
62,22 ₽
от 5 шт
| от 31 шт | 57,47 ₽ |
| от 62 шт | 53,59 ₽ |
| от 124 шт | 50,68 ₽ |
| от 247 шт | 48,51 ₽ |
Наличие
57 шт
Доставка
По запросу
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.